電漿蝕刻原理：電漿表面處理技術
電漿表面處理技術
Etch
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透過選擇性地去除在沉積期間添加的介電層(絕緣)和金屬(導電)材料，蝕刻製程可用來製作晶片的特徵結構。這些製程涉及製造越來越小、複雜、高且窄的特徵結構，並使用多種 ...
奇妙的電漿與電漿的應用
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藉由外加的能量來促使氣體內的電子獲得能量並且加速撞擊不帶電中性原子，由於不帶電中性原子受加速電子的撞擊後會產生離子與另一帶能量的加速電子，這些被釋出的電子，在經由 ...
感應耦合電漿蝕刻
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濕式蝕刻中為使用化學藥劑，經過化學反應以達到蝕刻之目的；乾式蝕刻為一種電漿式蝕刻，其原理為電漿中離子撞擊試片的物理動作或者為電漿中的自由基與試片表面的薄膜產生 ...
技術與能力
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於濺鍍源(cathode)內加裝磁控裝置，藉著磁場與電場間的電磁效應，所產生的電磁力來影響電漿內電子的移動，使得電子將進行螺旋式的運動。由於磁場的介入，電子將不再是以直線的 ...
第二章 感應耦合電漿蝕刻與AlGaNGaN HEMT
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解離氣體中帶電的粒子彼此會 有庫倫作用力，所以這些帶電粒子會呈現集體化的行為特性。 乾式蝕刻(Dry etch)，是以氣體電漿來蝕刻樣品的表面原子或分子。
第五章電漿基礎原理
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電漿基礎原理. 2. 電漿的成分. • 電漿是由中性原子或分子、電子(-）和正電離. 子所 ... 電漿蝕刻反應室的示意圖. 製程氣體. Plasma. 反應室. 副產品被真空. 幫浦抽走. 夾盤.
蝕刻技術
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以活性離子蝕刻 為例，就是利用電漿放電方式進 行異向性蝕刻的方法。 性自由基（reactive radical， 為中性的原子或分子物）及帶電 荷離子，可以和被蝕刻物進行化 學腐蝕 ...
電漿源原理與應用之介紹
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例如在電漿 蝕刻技術中，正離子經由電漿鞘層(Plasma Sheath)加速 後轟擊矽晶圓，使其表面原子的鍵結破壞進而能迅速 與活化粒子進行化學反應達到蝕刻效果。
電漿表面蝕刻Plasma Etching
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電漿表面蝕刻是一種用來增加表面micro等級材料區塊的處理方式，讓物件的表面用反應氣體來進行蝕刻。 表面的材料被蝕刻掉，轉化為氣體並由真空系統去除， ...