mosfet夾止區：CH08 場效電晶體

金屬氧化物半導體場效電晶體

https://zh.wikipedia.org

線性區（三極區或歐姆區 ... 但是隨著汲極電壓增加，超過閘極電壓時，會使得接近汲極區的反轉層電荷為零，此處的通道消失（如圖），這種狀況稱之為夾止（pinch-off）。

第5 章金氧半場效電晶體(MOSFETs)

https://aries.dyu.edu.tw

(夾止)。此時，MOSFET 進入飽和區操作。更. 進一步增加vDS (超過VDSsat = VOV ) 對通道形. 狀沒有影響，iD. 維持不變. 夾止不代表電流被截斷. 29. Page 30. 例題5.1.

四、場效電晶體原理1. 電晶體簡介2. MOSFET的操作原理(定性 ...

http://140.120.11.1

靠近汲極通道夾止. 後再增加的VDS，大部分都落在被夾止部分的空乏區，電子電位能到此區. 也會有一個很大的下降，導電電子到此區會被加速掃到汲極。 電子電位. 能 n+源. 極.

金屬氧化半導體場效電晶體MOSFET

https://physcourse.thu.edu.tw

靠近汲極通道夾止後再增加的VDS，大部分都落在被夾止部分的空乏. 區，電子電位能到此區也會有一個很大的下降，導電電子到此區會被加速掃到汲極。 (圖7) 當NMOS 之VGS(>Vth) ...

場效電晶體

https://zh.wikipedia.org

... 區自由的從通道中移走。空乏區將沒有載子，而有近似於矽的電阻。任何漏源電壓的增長將增加汲極到夹止點的距離，相對於空乏區增加的電阻和加在漏源上的電壓成正比。這種 ...

MOSFET的操作原理

http://ezphysics.nchu.edu.tw

靠近汲極通道夾止. 後再增加的V. DS. ，大部分都落在被夾止部分的空乏區，電子電位能到此區. 也會有一個很大的下降，導電電子到此區會被加速掃到汲極。 電子電位能 n+源. 極.

【電子學 第8單元

https://m.youtube.com

電子學考前筆記整理

https://hackmd.io

FET反應速度慢### FET偏壓電路在高職現今的課綱內，電路通常都只有兩種情況，截止與夾止(飽和)區。 因此，我們得要先判定該電路是否在夾止(飽和)區、或者在截止區。 ### FET ...

金屬氧化半導體場效電晶體

http://romeofan.synology.me

MOSFET 是FET主要形式之一。是在源極（Source）區與洩極（Drain）區的半導體基板表面覆蓋在一層薄薄的二氧化矽（SiO ...