離子植入製程：奇普島之半導體歷險

奇普島之半導體歷險

。其他文章還包含有：「AIBT」、「TWI797680B」、「大面積離子植入應用於」、「朝向更低能量之離子植入製程新趨勢與超淺接面的製作」、「第八章離子佈植」、「離子佈植」、「離子佈植摻雜(Ionimplantation)」、「離子植入」

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AIBT離子植入系統，實現極淺層的離子植入深度、更精準的植入劑量分布、以及極嚴格的植入角度限制，以符合成熟與3奈米以下最尖端製程的嚴峻需求，並提供更具彈性、更高效的服務 ...

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離子植入是通過轟擊將摻雜劑或雜質引入基板中的製程。離子植入系統可包括離子源及一系列束線元件。離子源可包括產生離子的室。離子源還可包括電源及靠近室設置的提取電 ...

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摘要. 本文淺談低溫複晶矽薄膜電晶體製程中的重要步驟：大面積離子植入與活化技術，這些技術. 扮演元件結構與特性的角色。尤其是影響元件電性的汲極與源極端的摻雜、降低電場 ...

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隨著半導體元件（Semiconductor Devices）不斷縮小，離子植入（Ion Implantation）製程必須降低植入能量（Implant Energy）和提高摻雜（Dopant）劑量（Dose），才能讓先進金屬氧化 ...

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離子佈植的製程: 通道效應. • 避免通道效應的方法. – 傾斜晶圓, 通常傾斜角度是7 ... • 快速加熱退火的製程(RTP)是很廣泛的使用在佈植後的. 退火程序. • RTA 是很快速 ...

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離子注入是一種將特定離子在電場裡加速，然後嵌入到另一固體材料之中的技術手段。使用這個技術可以改變固體材料的物理化學性質，現在已經廣泛應用於半導體元件製造和某些 ...

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將某一種原子直接射入矽晶圓，使摻雜原子分佈在矽晶圓中稱為「離子佈植(Ion implantation)」，類似將子彈直接打到牆壁裡一樣。被植入矽晶圓的雜質原子就可以形成N型或P型 ...

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應用材料產品系列含有業界常用的四類型植入系統。其中三類是屬於視線離子束流系統：高電流(可供低能量和/或高劑量應用)；中電流(供較低劑量)；高能源(供非常深的植入)。 ...