SiC MOSFET 1200V：SCT3080KR 1200V Nch 4引腳封裝SiC
SCT3080KR 1200V Nch 4引腳封裝SiC
1.2 kV MOSFET – Mouser 臺灣
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MOSFET MOSFET SIC 1200 V 17 mOhm TO-247. Microchip Technology MSC017SMA120B. MSC017SMA120B; Microchip Technology; 1: NT$1,592.49; 114庫存量. 製造商元件編號
1200V 60mΩ SiC MOSFET 離散式元件(ADR060B12MC)
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產品介紹. ADR060B12MCA離散式碳化矽(碳化硅)SiC MOSFET系列採標準TO-247-4引腳封裝，為新型化合物半導體功率元件，具備高速開關速率與極低開關損耗特性。
1200V470mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET)
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A接點常開型的光耦合繼電器，耐電壓達1200伏，耐電流600mA，導通電阻為0.6 ohms. 封裝於SMD8-6中的因而增加了爬電距離，增大表面絕緣面積，增強耐用度。
650V 和1200V 碳化矽MOSFET
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Toshiba 的第三代650 V 和1,200 V 碳化矽(SiC) MOSFET 是專為高功率工業應用而設計，例如400 V 和800 VAC 輸入AC/DC 電源供應器、光電(PV) 逆變器、不 ...
onsemi 1200V SiC MOSFET
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1200V SiC MOSFET可實現如下系統優勢：提高系統效率、加快工作頻率、提高功率密度、降低EMI以及減小系統尺寸。這些MOSFET具有阻斷電壓、高速開關、低電容的特點，並可在-55°C ...
SCT4036KW7
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SCT4036KW7是一款1200V、40A的Nch SiC功率MOSFET。該產品採用溝槽結構實現了更低的導通電阻，ROHM的第4代SiC MOSFETSCT4系列是改善了短路耐受時間並實現了業界超低導通 ...
SiC MOSFET 1200V400A Drive 功率模組 ...
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6合1 整合式電路設計; 採用最新碳化矽(碳化硅)SiC MOSFET晶片; 符合AQG324車規認證& 支援PPAP; 電壓: 1200V; 電流: 400A; 功率輸出: 250KW; 內建NTC 溫度感知器 ...
SiC MOSFETs
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Toshiba's 3rd generation Silicon Carbide (SiC) MOSFETs introduces a selection of both 650V and 1200V voltage products. In common with 2nd generations, Toshiba's ...
Silicon Carbide CoolSiC™ MOSFETs
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SiC MOSFET 650 V and 1200 V Gate Driver ICs. Ultra-fast switching power transistors such as CoolSiC™ MOSFETs can be easier handled by means of isolated gate ...