rca clean原理：半导体硅片RCA清洗技术
RCA Clean製程
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利用氨水之弱鹼性活化矽晶圓及微粒子表面，使晶圓表面與微粒子間相互排斥，進而達到洗淨目的； 雙氧水也可將矽晶圓表面氧化，藉由氨水對二氧化矽的微蝕刻達到去除微粒子的效果 ...
辛耘知識分享家
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RCA Clean是一套基礎且通用的晶圓清洗步驟，Werner Kern 在1965 年為美國無線電公司(RCA) 工作時開發的清洗步驟，主要是在半導體製造中的矽晶圓薄膜處理（ ...
最常使用之晶圓表面清潔步驟為濕式化學法(wet chemistry)
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RCA 濕式清潔法使用於兩種不同化學配方溶液，也. 就是標準清潔液1(SC-1)及標準清潔液2(SC-2)。 標準清潔液1(standard clean 1)為NH4OH/H2O2/H2O. 比例為：1:1:5 至1: ...
第一章緒論
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HCl/H2O2/H2O:主要是應用在金屬離. 子之去除。利用HCl 所形成之活性離子易於金屬離子化合之原理。一般是以. HCl:H2O2:H2O ＝1:1:6 ...
工學院半導體材料與製程設備學程
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RCA. 法主要是為前段製程設計之清洗步驟，在當時的製程規模、環安要求及成. 本考量也無法與現今的半導體工業相題並論，在晶圓製程越發精密的需求. 下，一個穩定、相容高、簡單 ...
RCA Clean制程
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利用氨水之弱硷性活化硅晶圆及微粒子表面，使晶圆表面与微粒子间相互排斥，进而达到洗净目的； 双氧水也可将硅晶圆表面氧化，藉由氨水对二氧化硅的微蚀刻达到去除微粒子的效果 ...
RCA 清洗技术原理
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由于硅片表面的自然氧化层与硅片表面的Si被NH 4 OH 腐蚀，因此附着在硅片表面的颗粒便落入清洗液中，从而达到去除粒子的目的。在NH 4 OH 腐蚀硅片表面的同时 ...
300mm 單晶圓濕洗系統之介紹與應用
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SC-1 是由過氧化氫(1,0),氫氧化氮 (NHOH),以及純水(DI water)混合而成一 種積極有效的微粒移除溶液,緊接SC-1步 驟之後,由氫氯酸(HCl),過氧化氫與純水 混合而成的SC-2 溶液 ...