LED 磊晶 結構：LED製程與應用技術
2021年我國LED元件產業發展動向
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LED依製造過程可分上游磊晶成長(Epitaxy)、中游晶粒製作(Chip)及下游封裝(Packing)三個階段。我國LED元件廠商規模不大，為降低經營風險，產業發展型態有別於 ...
LED 磊晶生長專利分析
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液相磊晶 (LPE：Liquid Phase Epitaxy)是使用加熱法使化合物半導體熔化為液體，再緩慢冷卻 形成固體單晶結構；分子束磊晶（Molecular beam epitaxy, MBE）於高真空或超高 ...
LED簡介及其封裝材料概論
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磊晶環境: • 高溫(750°C~1100°C). • 低壓(10~100 Torr). 磊晶(Epitaxy)：. 於單晶基板上沿特定方向成長單晶晶体， 並控制其厚度及摻質濃度。 基板(Substrate)：. 支撐成長 ...
Micro LED是什麼？微發光二極體的構造
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「單晶（Single crystal）」是指原子排列很整齊，單晶薄膜稱為「磊晶（Epitaxy）」，必須在非常嚴格的條件下才能成長出來。 ... 不同材料的磊晶，例如：銻化鋁（AlSb） ...
對LED產業極為重要。上游磊晶製程順序為：單晶片(III
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上游是由磊晶片形成，這種磊晶片長相大概是一個直徑六到八公分寬的圓形，厚度相當薄，就像是一個平面金屬一樣。LED發光顏色與亮度由磊晶材料決定，且磊晶佔LED製造成本70%左右， ...
淺談LED晶粒晶片製造流程
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首先在襯低上製作氮化鎵（GaN）基的晶圓，這個過程主要是在金屬有機化學氣相沉積晶圓爐(MOCVD)中完成的。準備好製作GaN基晶圓所需的材料源和各種高純的氣體 ...
瑋群(光電)事業部
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LED晶粒基本結構，從N層至P層為LED磊晶層。 Page 9. 二、LED發光原理及結構分析. 4 ... 3：已有LED产线磊晶、晶粒制程技術改良服務. 4：LED投资、生产类咨询服务.
發光二極體發展歷史與半導體概念
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... 磊晶法，結果發現. AlGaAs/GaAs 的LED 比GaAsP/GaAs 的LED 有較好的發光效率。1980 年. 代，雙異質結構被應用在LED 磊晶結構上，由於雙異質結構增加了侷限載. 子的能力 ...