TSMC RRAM 22nm:TSMC offers 22nm RRAM
TSMC offers 22nm RRAM
2020年8月25日—22nmembeddedMRAMisreadyforproductionandwillgothroughautomotivequalificationin4Q20.AtthesametimehesaidthatMRAMisbeingtakenonto16nm ...。其他文章還包含有:「22nmSTT」、「22奈米製程」、「AdvancedTSMC22ULLEmbeddedRRAMChipUnveiled」、「eFlash」、「Memory」、「台积电正在研究的新型存储技术」、「嵌入式和獨立式NVM:兩種不同的未來?」、「攜手瞄準車用市場,力旺RRAM通過聯電22奈米可靠度驗證」...
查看更多 離開網站22nm STT
https://research.tsmc.com
We demonstrate high yield results from a solder-reflow-capable spin-transfer-torque MRAM embedded in 22nm ultra-low leakage (ULL) CMOS technology.
22奈米製程
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22奈米超低漏電製程技術(22nm Ultra-Low Leakage, 22ULL)已順利完成開發並於2018年第四季按計劃開始試產,能夠支援物聯網及穿戴式裝置相關產品應用。與40奈米ULP及55奈米ULP ...
Advanced TSMC 22ULL Embedded RRAM Chip Unveiled
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The TSMC 22ULL eRRAM chip signifies rapid advancements in memory technology, promising enhanced performance and reliability for next-generation IoT devices.
eFlash
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At the mean time, TSMC is also developing Embedded MRAM, and Embedded RRAM ... 22nm ULL magnetic random access memory (MRAM) technology progressed well ...
Memory
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We demonstrate high yield results from a solder-reflow-capable spin-transfer-torque MRAM embedded in 22nm ultra-low leakage (ULL) CMOS technology.
台积电正在研究的新型存储技术
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文中提到的新型存储包括磁变(MRAM)、阻变(RRAM)、相变(PCM/PCRAM ... 22nm世代以后,CMOS逻辑的晶体管走向FinFET立体化,闪存的MCU研发技术 ...
嵌入式和獨立式NVM:兩種不同的未來?
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台積電已透過嵌入式OxRAM豐富其40nm ULP11製程,目前以22nm製程生產OxRAM。 Dialog Semiconductors授權格芯使用Adesto CBRAM技術,目前格芯正將其用於22nm ...
攜手瞄準車用市場,力旺RRAM 通過聯電22 奈米可靠度驗證
https://technews.tw
聯電提供22 奈米的0.8V/2.5V RRAM 平台,使用較少的光罩層數、較短的生產週期和更容易與BCD、高壓等特殊製程整合的優勢。 力旺電子技術長暨第二事業群總 ...
獨家
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RRAM嵌入式非揮發性存儲已經在2022年第一季開始生產40/28/22nm的RRAM ,其中28奈米RRAM進展順利,適合汽車領域的應用。同時間,台積電也在開發下一代的12nm ...