rram原理：科普：從物理機制到仿生運算，「電阻式記憶體」為何備受期待？
科普：從物理機制到仿生運算，「電阻式記憶體」為何備受期待？
開啟仿生及高速邏輯運算之路－新興3D RRAM架構及應用
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電阻式記憶體(Resistive Random Access Memory, RRAM) 結構為簡單的金屬-絕緣層-金屬(Metal-Insulator-Metal, MIM)，其原理為施予電壓或電流操作，利用物質電阻改變元件的高低電阻狀態，達成數位訊號儲存效果。
可變電阻式記憶體
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最基本的可變電阻式記憶體是由上下兩層金屬電極以及中間一層過渡金屬氧化物(Transition metal oxide, TMO)所組成，主要的操作原理是利用過渡金屬氧化物的阻值，會隨著所加偏 ...
國立清華大學電機工程學系
https://implementation.ee.nthu
RRAM 結構為簡單的金屬-絕緣層-金屬（Metal-Insulator-Metal, MIM），其原理 為施予電壓或電流操作來改變元件的高低電阻的狀態，重複操作重置(Reset)與設 ...
國立屏東大學應用物理系光電暨材料碩士班碩士論文指導教授
http://ir.nptu.edu.tw
一般而言，電阻式隨機存取記憶體(Resistance Random Access Memory, RRAM)最簡單 之構造為一電晶體和一電阻器組成之元件，而本實驗僅以其電阻器部分做實作與討論，其 電阻 ...
電阻式記憶體技術研發現況
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其結構和一般的電阻式記憶體相似，只是將中間的氧化層置換為固態電解質，相對於一般氧化物的電阻式記憶體而言，導通微通道電阻式記憶體的操作原理算是相當清楚，在文獻上也可以 ...
張鼎張教授獲邀撰文發表研究登頂尖期刊
https://news.nsysu.edu.tw
電阻式記憶體(RRAM)是一種次世代非揮發性電子記憶體元件，其原理是利用電場控制材料的電阻狀態，將元件高電阻狀態與低電阻狀態分別定義為”0”、”1”訊號， ...
從物理機製到仿生運算，為何「電阻式記憶體」備受期待？
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電阻式記憶體（Resistive Random Access Memory, RRAM）結構為簡單的金屬-絕緣層-金屬（Metal-Insulator-Metal, MIM），其原理為施予電壓或電流操作，利用物質 ...