tddb原理：NO退火对4H
NO退火对4H
Time
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Time-dependent gate oxide breakdown (or time-dependent dielectric breakdown, TDDB) is a kind of transistor aging, a failure mechanism in MOSFETs.
二氧化鉿閘極高介電質之依時性介電層崩潰機制研究
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本專題主要是研究以二氧化鉿(HfO2)為電容結構的介電層，經過 不同溫度的快速熱退火處理，探討閘極漏電流(I-V)、電容-電壓(C-V) 曲線分析、依時性介電層崩潰測試(time ...
元件可靠度
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場的加速模型可得到下列TDDB的加速模. 型：. 在TDDB的加速模型中,有兩個重要的. 加速因子，Ea與γ，需要事先被粹取出來. 以推算壽命，一般Ea可在一個固定的電場. 下，測試兩 ...
可靠性系列-Gate Oxide Degradation
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正常情况下当施加于氧化层上的电场强度(EOX )接近5MV/cm时，会发生福勒-诺德海姆隧穿(Fowler-Nordheim Tunneling)，即开始有隧穿电流流过氧化层；当EOX ...
栅氧化层经时击穿的非平衡统计理论分析方法
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经时击穿(time-dependent dielectric break- down, TDDB) 是指施加的场强低于发生本征击穿 时的场强, 在持续作用一段时间后发生的击穿. 人 们常通过TDDB 来评估栅氧化层的 ...
第六章二氧化鉿薄膜的崩潰機制和可靠度
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其量測原理主要是利用金氧半場效電晶體(MOSFET)結構來進行量 測，示意圖如圖6-7，閘極的漏電流可以被分離出電子電流和電洞電流，矽 基板量測到的電流為電洞電流(Isub)，而 ...
高介電常數閘極介電層TDDB 崩潰行為之研究
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TDDB)在半導體可靠度，是一個研究故障機制的重要方法，量測的目. 的就是要檢測出閘極氧化層的耐久性，預測短路的產生時間，提供規. 劃最佳化之製程設計。基本的測試有 ...