氧化鎵特性：第四代半導體：氧化鎵

10年後氧化鎵將直接與碳化矽競爭

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目前已發現的氧化鎵擁有5種同質異形體，材料性質各有千秋。目前研究比較多的是β相(熱穩定性最佳，能隙寬度~4.8eV)，而α相(高能隙寬度 ...

Ga2O3氧化鎵如何鑑定第四類半導體來了

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氧化鎵Ga2O3 被稱為第四類半導體的原因是，其超寬能隙的特性，相較於相較於第三類半導體/化合物半導體碳化矽SiC 與氮化鎵GaN，將使材料能承受更高電壓 ...

半導體氧化鎵材料及其電力電子元件應用之研究開發(上)

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本文將針對氧化鎵的研究背景、材料性質及元件特性進行簡單敘述，並對於日本在半導體氧化鎵電力電子元件的研究與開發進行相關性的介紹與說明。 前言. 回顧 ...

氧化鎵Ga2O3比起GaN還具發展潛力

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雖然金剛石和氮化鋁的能隙比較大，但它們不具有氧化鎵的特性，那就是可以製造出廉價但功能強大的器件。 簡單來說，僅僅只有材料具有寬帶隙是不夠的，例如 ...

氧化鎵的晶體成長、特性及其元件應用(上)

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氧化鎵具有優異的材料性質，由於具有4.7-4.9 eV寬大的能隙值，擁有極大的崩潰電場/破壞電場。另一個重要的特徵在於經由熔融生長法，能夠商業化製作出 ...

氧化鎵的晶體成長、特性及其元件應用(下)

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β-氧化鎵的最大優點在於具有高的臨界電場強度(Critical Electric Field Strength)，更加有利於製作更高電壓切換開關裝置以及功能性更為強大的射頻(RF)電子 ...

氧化鎵：用於功率元件的新一代半導體材料

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第四代半導體氧化鎵為何值得期待？有何優勢與前景？

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Ga2O3 具備許多優良的特性，使其可以應用在許多方面，特別是其寬能隙特性能在功率元件上有顯著的應用，諸如電動車、電力系統、風力發電機的渦輪等都是其 ...

第四代半導體氧化鎵（Ga2O3）來了！台廠有機會？

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可應用領域包括新能源車、太陽能、風電、5G 通訊與軌道交通等。而氧化鎵為「超寬能隙半導體」，擁有高電壓使用特性優勢，可應用於更大電力充電系統、電網 ...