amb製程：功率半導體用DCB&AMB基板

AMB Si3N4 陶瓷基板在高功率半导体器件中的应用

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AMB陶瓷基板的性能与应用

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Amb 技术是基于dbc (直接连接铜)技术,采用AMB工艺制备的陶瓷基板不仅具有较高的导热系数和较好的铜层附着力，而且还有热阻更小、可靠性更高等教育优势。

AMB陶瓷基板的性能及其应用

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AMB技术是指，在800℃左右的高温下，含有活性元素Ti、Zr的AgCu焊料在陶瓷和金属的界面润湿并反应，从而实现陶瓷与金属异质键合的一种工艺技术。AMB陶瓷基板 ...

CN110493951A

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而在考虑AMB时，则要考虑其间呈合金的焊料的获得。 现行的DBC制程是包括了下列的步骤: 提供一陶瓷基板；. 提供一铜板；. 于所 ...

LED封裝技術

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訊憶在LED晶粒的封裝上改用獨家的RDL-WLCSP，有效節省封裝成本，也減少了晶粒的遮光程度，因而能以較傳統製程少的晶粒數達到相同的兆明亮度，並同時增加晶粒的散熱效果 ...

活性金屬接合陶瓷電路板技術

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AMB接合強度比DBC更高、可靠度更好，氮化鋁基板也可利用AMB技術覆銅以提升可靠度。 活性金屬焊料. 金屬與陶瓷的化學性質差異大，陶瓷由離子及共價鍵組成； ...

活性金屬硬焊AMB(Active Metal Brazing)

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AMB(Active Metal Brazing) ... 結合陶瓷之散熱以及金屬之導體特性，以特製的焊料將超厚銅箔，利用高溫將超厚銅箔硬焊於氮化矽基板上，再經由曝光顯影方式在氮化矽基板上刻劃 ...

重分配層晶圓級封裝(RDL

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採用可適用於微影製程之介電層製作出重分配層溝槽，透過該溝槽連接晶粒以及對外連通導線(例如錫球等)，之後再以銀膠等材料填入溝槽，再經過研磨形成完整金屬導線層。