磊晶薄膜：磊晶薄膜應變狀態對光電元件造成的影響
磊晶薄膜應變狀態對光電元件造成的影響
分子束磊晶技術之發展與磁性薄膜之製備應用
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本文介紹分子束磊晶法，及若干最新技術發展－厚度楔形以及溫度楔形技術。我們並將以磁. 性多層膜與CrPtx 合金膜為例，介紹這些新穎分子束磊晶技術在磁性薄膜之研究 ...
化學束磊晶系統成長氮化銦磊晶薄膜之製程研究
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本研究中使用的磊晶方式為電漿輔助化學束磊晶系統，可結合MBE 與. MOCVD 兩者之優點成長InN ，使用三甲基銦與電漿解離之氮原子做為V 族與III 族之來源，而影響InN. 結晶 ...
半導體薄膜材料有機金屬化學氣相沉積反應器之氣體動力 ...
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MOVPE) 技術發展已逾卅年，目前已可利用氣相. 磊晶技術製備IV 族材料如鑽石薄膜、碳化矽、介. 電材料如二氧化矽(SiO2) 與氮化矽(Si3N4)、金屬薄. 有機金屬化學氣相沉積( ...
寬能隙氧化物磊晶薄膜之製造方法
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本發明為一種寬能隙氧化物磊晶薄膜之製造方法,其利用一氧化物磊晶薄膜形成於基板,使其. 具較佳之物理特性,例如:電子漂移飽和速度快,介電常數小,熱穩定性好,且耐高溫。
成長溫度對InN 磊晶薄膜顯微結構之影響
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InN 磊晶薄膜在500 °C 左右時具有最. 快的成長速率，其薄膜最厚，缺陷密度最高，但薄膜表面相對較為平坦。成長溫度為550 °C 所得之InN. 磊晶薄膜已開始產生空孔，表面平坦 ...
材料工程與製造技術
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科學家將單晶薄膜稱為「磊晶(Epitaxy)」，必須在非常嚴格的條件下才能成長出來，一般半導體產業最常用來支撐薄膜的基板是矽晶圓，但是要在矽晶圓上成長各種不同材料的磊晶 ...
磊晶
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磊晶用於在半導體製造中創造完美的矽晶體基底層，以便在晶體基底層上建構半導體元件、沉積具電性的晶體薄膜，或改變底層的機械特性以改善導電性。
磊晶氧化物薄膜的製成
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本文介紹使用分子束磊晶製成過渡. 金屬氧化物薄膜、多層膜、超晶格的方法，並且以氧化鐵相關的超晶格為例，說明薄膜的特. 質以及結構分析的過程。 磊晶氧化物薄膜的製成.