宜錦晶圓薄化：Wafer Thinning 晶圓薄化一般研磨Non

Wafer Thinning 晶圓薄化一般研磨Non

MOSFET晶圓薄化製程WaferThinning利用研磨輪，進行快速而精密之研磨後，再以蝕刻液進行表面微蝕刻，藉以去除因研磨產生的破壞層，並釋放應力。ProPowertek宜錦科技可 ...。其他文章還包含有：「1.5mil晶圓薄化新挑戰如何在TaikoBGBM製程提升晶片強度?」、「IGBT晶圓後段製程」、「公司介紹」、「厚銀製程ThickAgProcess晶圓薄化FSMBGBMProPowertek...」、「宜錦晶圓減薄能力達1.5mil」、「宜錦科技」、「晶圓後段製程(BGBM)」...

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1.5 mil 晶圓薄化新挑戰如何在Taiko BGBM 製程提升晶片強度?

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ProPowertek宜錦將與您一同分享晶圓薄化(降低晶圓厚度)後，如何提昇晶圓強度。一、從晶片研磨探討. 一片8吋晶圓裸片原始厚度為28.5 mil(725 um)，在經過薄 ...

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IGBT晶圓後段製程

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宜錦科技. ... 晶圓薄化. 背面金屬化製程. 金屬蒸鍍沈積 · 厚銀製程 · 背面金屬濺鍍沈積 ... 服務項目. service. 首頁/ IGBT晶圓後段製程. 氣體退火(Gas Annealing).

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公司介紹

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主要服務是針對台灣半導體產業鏈中一直缺少的晶圓薄化工程與正背面金屬化製程(Front side metal, FSM；Backside grinding backside metal，BGBM)、IGBT後段整合性製程 ...

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厚銀製程Thick Ag Process 晶圓薄化FSM BGBM ProPowertek ...

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ProPowertek宜錦提供的蒸鍍機，可達厚度40 um之厚銀，為目前業界之冠。提供雙冷凍幫浦，提升金屬成長高真空環境度。靶材選擇多樣化，且可客製化。工程師 ...

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宜錦晶圓減薄能力達1.5mil

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但如何在薄化製程中降低晶圓厚度，又同時兼顧晶圓強度，避免破片率居高不下之風險自晶圓薄化最大的風險。為解決此風險，Propowertek宜錦領先業界，已完成2mil(50um)、1.5 ...

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宜錦科技

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1.5 mil 晶圓薄化新挑戰如何在Taiko BGBM 製程提升晶片強度? 「功率半導體的輕薄短小，是現今熱門議題與未來趨勢。但隨著晶片薄化後，接踵而來的風險是什麼?

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晶圓後段製程(BGBM)

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ProPowertek 宜錦導入專業人才與先進製程，協助您最短時間內完成晶圓薄化與背金增長(BGBM) · 多種研磨製程解決方案 · 多種背金解決方案 · 背銀厚度達15um甚至可客製化到40um ...

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服務項目

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ProPowertek 宜錦導入專業人才與先進製程，協助您最短時間內完成晶圓薄化與背金增長(BGBM) · 多種研磨製程解決方案 · 多種背金解決方案 · 背銀厚度達15um甚至可客製化到40um ...

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正面金屬化製程

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工程師團隊背景多元化，有來自前段晶圓代工廠、晶圓薄化專家、後段封裝廠，熟悉前中後段之製程整合及分析，能協助客戶快速開發、解決問題、穩定量產。

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