二極體障壁電壓：稽納二極體逆向特性
稽納二極體逆向特性
Provide From Google
2
http://web.sphs.hc.edu.tw
在這種偏壓下，二極體P型端電洞受電場作用偏離接面，相同的電子受電場正極吸引而遠離接面，如此情況使空乏區寬度因二極體兩端逆向電壓增加，而空乏區變得更寬，電位障壁愈 ...
Provide From Google
pn接面二極體的動作原理
http://pub.tust.edu.tw
由於接面兩側有相異的離子，在接面會有一個電場存在。離子間的電場相當於兩者間的位能差。因為n型側電位高於p型側而形成內建電位障壁(Built-in potential barrier)，可以 ...
Provide From Google
二極體
http://bweb.hcvs.ptc.edu.tw
2-5 二極體的電壓-電流特性曲線 ... 空乏區的正負離子所形成的電位差稱為障壁電位(barrier potential)。 ... 註：切入電壓約等於障壁電位，矽約0.6V，鍺約0.2V。 (2)膝 ...
Provide From Google
二極體
https://zh.wikipedia.org
二極體（英語：diode）又稱二極管，是一種具有不對稱電導的兩個端子（陰陽二極 ... 一般來說，只有在順向超過障壁電壓時，二極體才會工作（此狀態被稱為順向偏壓）。
Provide From Google
二極體特性
https://sywung.files.wordpress
二極體的順向特性. 存在一個切入( 膝點) 電壓( 即障壁電壓). 鍺約0.2V. 矽約0.7V. 當外加電壓< 切入電壓， I d. =0. 當外加電壓> 切入電壓， I.
Provide From Google
認識二極體及電晶體特性曲線
http://ice.ncue.edu.tw
半導體二極體在進入崩潰時所能承受的最大. 逆向偏壓稱為逆向峰值電壓（peak inverse voltage），簡稱PIV。 【齊納二極體】. 特別設計的二極體被製造出來，專門用在崩潰區 ...