閘極 寬度：台積電半導體製程競爭力關鍵：FinFET 工作原理
台積電半導體製程競爭力關鍵：FinFET 工作原理
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MOSFET的操作原理
http://ezphysics.nchu.edu.tw
MOS的尺寸：包括L(通道長度或閘極的長度)，W(通道寬度)。這個. 和通道能流通的電流有關，也和MOS電容值有關。 移動電流：必須先知道反轉層載體 ...
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【觀點】鰭式場效電晶體是什麼？為什麼是台積電與三星決戰 ...
https://www.bnext.com.tw
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五分鐘讓你看懂FinFET
https://www.anchi-tech.com.tw
閘極長度會隨製程技術的進步而變小，從早期的0.18 微米、0.13 微米，進步到90 奈米、65 奈米、45 奈米、22 奈米，到目前最新製程10 奈米。當閘極長度愈小 ...
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四、場效電晶體原理1. 電晶體簡介2. MOSFET的操作原理(定性 ...
http://140.120.11.1
MOS的尺寸：包括L(通道長度或閘極的長度)，W(通道寬度)。這個. 和通道能流通的電流有關，也和MOS電容值有關。 移動電流：必須先知道反轉層載體 ...
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場效電晶體
https://zh.wikipedia.org
寬度（width）是指電晶體的範圍，在圖中和橫截面垂直。通常情況下寬度比長度大得多。長度1微米的閘極限制最高頻率約為5GHz，0.2微米則是約30GHz。
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金屬氧化物半導體場效電晶體
https://zh.wikipedia.org
μn是載子遷移率（carrier mobility）、W是金氧半場效電晶體的閘極寬度、L是金氧半場效電晶體的閘極長度，而Cox則是閘極氧化層的單位電容大小。在這個區域內，金氧半場 ...
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閘極寬度的最佳化設計對低壓功率元件之應用
https://ndltd.ncl.edu.tw
本文主要討論閘極寬度減小可藉由降低空乏區曲率與導因兩個P-Well距離縮小，促使晶包(Cell)間的空乏區夾止(Pinch-Off)更緊密，而使元件操作在更高的偏壓下， ...