氮化鎵製程：第三代半導體到底紅什麼？4 張圖秒懂GaN、SiC 這一項關鍵 ...
第三代半導體到底紅什麼？4 張圖秒懂GaN、SiC 這一項關鍵 ...
SiC vs GaN：寬能隙半導體的不同世界
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氮化鎵(GaN)和碳化矽(SiC)半導體現已量產，並迅速擴張其市佔率。 ... 談論12nm以及更先進的製造節點，但我們仍然在使用500nm製程設備來製造GaN元件。
【圖解】第3類半導體晶片怎麼做？基板難在哪？一次看懂生產 ...
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出於成本考量，加上與互補式金屬氧化物半導體（CMOS）製程相容，現階段主流的氮化鎵技術是將氮化鎵磊晶長在矽之上的矽基氮化鎵（GaN on Si）方案。
世界先進宣布0.35微米高壓氮化鎵製程邁入量產
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專業8吋晶圓代工廠世界（5347）今（22）日宣布，其領先的八吋0.35微米650 V的新基底高電壓氮化鎵製程（GaN-on-QST）已於客戶端完成首批產品系統及可靠 ...
氮化鎵功率元件的優勢
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EPC公司的氮化鎵電晶體及積體電路的製程跟矽基功率MOSFET的製程相似，不同的是，製造氮化鎵元件的製程步驟更少，以及在每次製程中，可以生產出更多元件。這是由於氮化 ...
氮化鎵磊晶成長與元件特性研究
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本論文中，對氮化鎵材料之磊晶成長、製程研究、場效電晶體及發光二極體製作分別作深入的研究。在材料磊晶成長上，首次採用500埃高溫成長之單晶氮化鋁鎵薄膜當應力層在 ...
特斯拉改變遊戲規則？氮化鎵要出頭天？認識產業發展與台廠的 ...
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而前景備受注目的氮化鎵，台積電、聯電、力積電、世界先進都已有佈局氮化鎵製程，而台積電不僅發展得更早，且早已接獲氮化鎵代工訂單。 但也有台廠計畫做 ...
第一章緒論1-1
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鎵的晶格常數有16%的差異，但因碳化矽基板價格昂貴，因此目前在氮化鎵的磊晶 ... 製程，有經過三種表面處理的方式，分別為乾式蝕刻(dry etching，如RIE、ICP)、.
第三代半導體商機發光，台廠奮起摘星
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台積電主要投入GaN 製程技術(GaN on Si及GaN EPI)，目前已開發出150伏特與650伏特兩技術平台，供貨6吋及8吋產品；世界先進則是與設備材料廠Kyma與轉投資GaN 矽基板廠Qromis ...