二極體逆向飽和電流：稽納二極體逆向特性
稽納二極體逆向特性
Ch. 05 二極體特性02
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：二極體逆向飽和電流(鍺=數µA，矽=數nA) e：自然指數的底數(e ≒ 2.718……) V：二極體兩端所加的電壓 η：實驗常數(鍺質=1，矽質=2).
P
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二極體在反向偏壓下會產生一個很大的電場，使得共價鍵斷裂，進而產. 生大量的電子與電洞，造成逆向飽和電流Is 的大量增加，稱之為曾納崩. 潰。 三、P-N 接面沒有施加偏壓 ...
二極體
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溫度愈高，逆向飽和電流就愈大。 2-4 二極體的偏壓. 註：因為矽的. 電流較小，耐.
二極體的特性
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有關上面二極體I-V圖的幾點說明：. 1. 通常二極體在導通時，工作電流∼5mA，此時它的壓降約為0.6V（圖中之. Vcut-in，或叫切入電壓）。 2. 反向電流很小，即Is<<1µA。 3.
二極體逆向的飽和電流跟溫度關係
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二極體逆向飽和電流( IS ) 隨逆向偏壓的增加而增加。 當溫度上升1°C時. ，二極體障蔽電位(膝點電壓)下降2.5mV。
反向飽和電流
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反向飽和電流是發生在二極體中的由於施加電壓產生的一種電流。二極體中：如果給它加反向電壓，反向電壓在某一個範圍內變化，反向電流（即此時通過二極體的電流）基本不 ...
認識二極體及電晶體特性曲線
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當逆向偏壓增加到某一特定的電壓值時，電流會急速的增加，此時的電壓稱. 為崩潰電壓（breakdown voltage）。半導體二極體在進入崩潰時所能承受的最大. 逆向偏壓稱為逆向 ...
飽和電流
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飽和電流，或者更精確的說，反向飽和電流是半導體二極體中由少數載流子從中立區到耗盡層或耗盡區的擴散引起的那部分反向電流。反向飽和電流幾乎不受反向電壓的影響。