igbt結構:IGBT的工作原理
IGBT的工作原理
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IGBT
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雖然最新一代功率MOSFET器件大幅度改進了RDS(on)特性,但是在高電平時,功率導通損耗仍然要比IGBT技術高出很多。較低的壓降,轉換成一個低VCE(sat)的能力,以及IGBT的結構 ...
![IGBT原理與設計](https://i0.wp.com/api.multiavatar.com/IGBT%E5%8E%9F%E7%90%86%E8%88%87%E8%A8%AD%E8%A8%88.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
IGBT原理與設計
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(圖二)顯示不同功率及頻率的要求下,所適用的元件結構。除了一些超高功率的應用外,其餘的應用幾乎被IGBT與MOSFET所涵蓋。在分類上,IGBT適用於較低頻 ...
![IGBT有哪些结构?](https://i0.wp.com/api.multiavatar.com/IGBT%E6%9C%89%E5%93%AA%E4%BA%9B%E7%BB%93%E6%9E%84%EF%BC%9F.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
IGBT有哪些结构?
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IGBT的常见结构包括:(a)穿通型(PT);(b)非穿通型(NPT);及(c)薄晶圆穿通型,亦称为场截止型(FS)。 (d)反向导通IGBT(RC-IGBT)是IGBT家族的最新成员; ...
![IGBT的构造与工作原理详解](https://i0.wp.com/api.multiavatar.com/IGBT%E7%9A%84%E6%9E%84%E9%80%A0%E4%B8%8E%E5%B7%A5%E4%BD%9C%E5%8E%9F%E7%90%86%E8%AF%A6%E8%A7%A3.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
IGBT的构造与工作原理详解
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IGBT是由一个N沟道的MOSFET和一个PNP型GTR组成,它实际是以GTR为主导元件,以MOSFET为驱动元件的复合管。IGBT除了内含PNP晶体管结构,还有NPN晶体管结构,该NPN晶体管 ...
![IGBT的結構](https://i0.wp.com/api.multiavatar.com/IGBT%E7%9A%84%E7%B5%90%E6%A7%8B+-+%E9%9B%BB%E6%BA%90%E8%A8%AD%E8%A8%88%E6%8A%80%E8%A1%93%E8%B3%87%E8%A8%8A%E7%B6%B2%E7%AB%99TechWeb.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
IGBT的結構
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![IGBT的结构](https://i0.wp.com/api.multiavatar.com/IGBT%E7%9A%84%E7%BB%93%E6%9E%84-+%E7%94%B5%E6%BA%90%E8%AE%BE%E8%AE%A1%E7%94%B5%E5%AD%90%E7%94%B5%E8%B7%AF%E5%9F%BA%E7%A1%80+....png?apikey=viVnb6N20jclO8)
IGBT的结构
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为了便于理解IGBT半导体的结构,我们首先来回顾一下电路图符号、简单的等效电路以及IGBT的基本工作。 IGBT有栅极、集电极、发射极三个引脚,可以认为,栅 ...
![IGBT的结构与工作原理及晶圆推荐](https://i0.wp.com/api.multiavatar.com/IGBT%E7%9A%84%E7%BB%93%E6%9E%84%E4%B8%8E%E5%B7%A5%E4%BD%9C%E5%8E%9F%E7%90%86%E5%8F%8A%E6%99%B6%E5%9C%86%E6%8E%A8%E8%8D%90.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
IGBT的结构与工作原理及晶圆推荐
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在IGBT得到大力发展之前,功率场效应管MOSFET被用于需要快速开关的中低压 ... 如下图所示为一个N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构, N+区称为源区,附 ...
![什麼是IGBT(絕緣閘極雙極性電晶體)?](https://i0.wp.com/api.multiavatar.com/%E4%BB%80%E9%BA%BC%E6%98%AFIGBT%EF%BC%88%E7%B5%95%E7%B7%A3%E9%96%98%E6%A5%B5%E9%9B%99%E6%A5%B5%E6%80%A7%E9%9B%BB%E6%99%B6%E9%AB%94%EF%BC%89%EF%BC%9F.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
什麼是IGBT(絕緣閘極雙極性電晶體)?
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IGBT是輸入端為MOSFET構造、輸出端為BIPOLAR構造的元件,採用複合式構造,除了為使用電子和電洞這二種載體的雙極性元件外,也是同時具備低飽和電壓(相當於功率MOSFET的低 ...
![絕緣閘雙極電晶體](https://i0.wp.com/api.multiavatar.com/%E7%B5%95%E7%B7%A3%E9%96%98%E9%9B%99%E6%A5%B5%E9%9B%BB%E6%99%B6%E9%AB%94+-+%E7%B6%AD%E5%9F%BA%E7%99%BE%E7%A7%91.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
絕緣閘雙極電晶體
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絕緣柵雙極電晶體(英語:Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT),是半導體器件的 ... IGBT的結構與功率MOSFET十分相似,主要差異是IGBT增加了P+基片和一個N+緩衝 ...