碳化矽 良率：WolfSpeed碳化矽廠良率出問題估明年Q1才會好轉
WolfSpeed碳化矽廠良率出問題估明年Q1才會好轉
SiC晶圓製造究竟難在哪？
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意法半導體表示，首批200mm SiC晶圓品質上乘，影響晶片良率、晶體位元錯的缺陷非常少。對比150mm晶圓，200mm晶圓可增加產能，可用於晶片製造的面積 ...
SiC長晶打通全產業鏈之鑰「良率」是最大痛源？
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若以碳化矽（SiC）來看，長晶良率的掌控不易，仍是阻礙全產業鏈發展的主因，只要突破這痛源、其 ... SiC長晶打通全產業鏈之鑰「良率」是最大痛源？
〈觀察〉碳化矽8吋成本效益表現不佳3年內難普及
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化合物半導體市場大幅成長，SiC 更被視為電動車、綠能等領域的關鍵要角 ... 徐建華補充，進入8 吋後還是有量產、良率問題，進一步使短期效益受限， ...
【法說會重點】WolfSpeed 拿下全球六成碳化矽基板供應
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IDM 廠開始加大晶圓自足率，WolfSpeed 未來關鍵在下半年8 吋SiC 良率爬升速度. 目前全球SiC 基板年產能約60 萬片，WolfSpeed 便供應了60%。不過. 因基板為 ...
向8 吋進擊，拿下SiC 的天王山
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從成本上來說，8吋有足夠優勢，但良率問題始終是困擾SiC的難題，龔瑞驕表示：「目前6吋SiC襯底國內的良率大概有40%，海外大概60~70%，在8吋方面，近年 ...
国产材料再突破！车规SiC良率有望大幅提升
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SiC单晶生长环节中，主要存在2个良率差异现象：一是企业之间的良率差异非常大，领先型企业的良率可以高达50%-60%，而一些新进入者的良率水平在0-30%之 ...
得碳化矽者得天下盛新材料擴廠拚量產
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倫元投顧分析師李春生說，盛新材料所生產的碳化矽晶圓良率七成，目前全球良率僅的五成到六成，相當有利基點，廠內有十六台機台，預計今年七月增資擴 ...
整合SiC GaN 最強技術與資源！打造無與倫比的第三類 ...
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比起第一、第二類半導體，以碳化矽（SiC）及氮化鎵（GaN）為首的第三類半導體因為能在 ... 各家使出混身解數，突破良率、降低成本、力拚6 吋轉8 吋.
環球晶漢民台亞搶新材料大餅
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碳化矽（SiC）成長快速，但良率及成本仍待努力，氮化鎵（GaN）應用相對較成熟，台灣各大廠包括中美晶（環球晶）、漢民（嘉晶、漢磊）、日亞化（台亞） ...