GaAs PD：鋅擴散完成砷化銦鎵光偵測器磊晶片Zn diffusion ...
鋅擴散完成砷化銦鎵光偵測器磊晶片Zn diffusion ...
GaAs PD
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High-speed GaAs PIN Photodiode - High-speed WDM PIN Photodiode - TO-25 mini size PIN PD TO / Pigtail for High-density Package
GaAs PD epi Wafer
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GaAs material has become a good choice of photo detectors (PD diode), since GaAs bandgap is in alignment with short range optical fiber communication with ...
全新光電股份有限公司
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首頁> 產品資訊> 光電子產品> 長波長砷化銦鎵光偵測器磊晶片(1.9um-2.6um)Long wavelength InGaAs PD epi wafer. 長波長砷化銦鎵光偵測器磊晶片(1.9um-2.6um)Long ...
核心技術
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在Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體中，目前最廣泛應用在通訊產品上的就是砷化鎵(GaAs)材料，因此GaAs 能符合高頻高速通訊元件的特性要求，在通訊產業快速發展並對通訊元件要求輕、 ...
砷化銦鎵光偵測器磊晶片InGaAs PD epi wafer
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三五族化合物半導體，由於具備優異的光電轉換效率，低暗電流及高電子移動率，因此非常適合用於做為光偵測器的應用。其中又以常用於短距離光纖通訊的砷化鎵光偵測器（GaAs ...
砷化鎵假晶高電子移動率電晶體磊晶片GaAs PHEMT epi wafer
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砷化鎵高電子移動率電晶體磊晶片（HEMT or MESFET Epi Wafer）. 砷化鎵高電子移動率電晶體元件的主要優點在於：. 低射頻雜訊、高頻率響應、高切換速度、高頻寬、高功率.
砷化鎵光偵測器磊晶片GaAs PD epi Wafer
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砷化鎵化合物半導體，由於具備優異的光電轉換效率，低暗電流，高電子移動率及優異的高頻響應特性，因此非常適合用於做為光偵測器的應用。而砷化鎵材料因可吸收短距離光纖 ...
砷化镓光电二极管(GaAs-PD)
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图片, 型号, 探测器材料, 光敏尺寸, 响应波长-范围, 响应波长-峰值, 响应度-峰值, 上升沿时间, 暗电流, 分流电阻, 封装, 电容, 封装类型, 引脚数, 窗口 ...