碳化矽 取代:特斯拉宣布大量減少碳化矽,英飛凌如何出招
特斯拉宣布大量減少碳化矽,英飛凌如何出招
Tesla減少碳化矽用量替代方案有解
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個人的淺見認為,Tesla是使用Si IGBT(insulated-gate bipolar transistor;絕緣柵雙極性電晶體)取代SiC MOS,並使用SiC二極體(Schottky diode),作為 ...
【美股研究報告】特斯拉擾動「第三類半導體」市場神經
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綜合以上,特斯拉的壓力來自於對SiC 的掌控力與成本效益,若是尋找可能取代SiC 的替代方案,第四類半導體Ga2O3 ( 氧化鎵) 還在前期開發階段,成熟需要10年 ...
矽的末日到了?究竟是什麼新型材料能夠取代矽?
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矽作為晶片的主要成分,一直以來都是科技行業的主導。不過當下新材料的發展日新月異,諸如碳化矽、氮化鎵和氧化鎵等材料在電力電子領域正發揮著越來越 ...
碳化矽元件躍升主流成本仍舊為發展最大障礙
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Si持續在汽車功率元件市場占有70%的市場份額,不過SiC將在許多應用中取代IGBT,而這個趨勢是從2020年SiC進入為主流的電動車市場開始。然而,Si未來幾年仍 ...
碳化矽戰略材料產能炸開第三代半導體廠拐點到了
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... SiC功率元件全面取代Si IGBT,進而成為主驅逆變器標配,隨著電動車滲透率不斷升高,以及整車架構朝八○○V高壓方向邁進,勢必引爆對SiC基板的強勁 ...
第三代半導體——碳化矽材料之製程與分析
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碳化矽(SiC)功率電子是加速電動車時代到來的主要動能。以SiC MOSFET取代目前的Si IGBT,不僅能使切換損失降低80%以上,大幅縮減電力移轉時的能源損耗 ...
震撼! 特斯拉減用碳化矽
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特斯拉1日宣布,下世代電動車將大砍碳化矽(SiC)用量75%。碳化矽等第三代半導體是近年市場追捧的新世代半導體材料,業界原認為是產業下個明日之星,特斯 ...