SiC IGBT：SiC-MOSFET的特徵
SiC-MOSFET的特徵
SiC IGBT 模組– Mouser 臺灣
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SiC IGBT 模組在Mouser Electronics有售。Mouser提供SiC IGBT 模組的庫存、價格和資料表。
SiC MOSFET 与Si IGBT：SiC MOSFET 的优点
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Si IGBT 和SiC MOSFET 的主要区别在于能够处理的电流类型。一般来说，MOSFET 适合高频开关应用，而 IGBT 更适合高功率应用。 为什么硅IGBT 和碳化硅MOSFET ...
SiC還是IGBT，新能源汽車如何選？
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目前的市場上，SiC和IGBT仍然是各有風騷，本文詳細分析了它們的技術差異，以及在主逆變器，OBC以及DC-DC轉換器中使用SiC所帶來的優勢。 碳化矽推動著 ...
【關鍵報告】電動車組成關鍵！白話詳解第三代半導體材料 ...
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與IGBT 相比，SiC 不會產生尾電流，因此能減少近90% 開關耗損（理論上IGBT 為了降低電阻，會進行電導率調製，向漂移層內注入作為少數載流子的空穴，但這麼 ...
为什么不用sic做igbt?
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首先要说明SiC 也是可以做IGBT的。 Si材料的Mosfet存在一个问题，即耐受电压能力高了芯片就会相应地变厚，导通损耗也就很高，所以硅材料的Mosfet一般只能做低压器件。
使用SiC MOSFET的好處是什麼？
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What is the power loss replacing with SiC MOSFETs? By changing from IGBT to 2nd Generation SiC MOSFETs, power loss is reduced by about 41%.
投身車電領域的入門課：IGBT 和SiC 功率模組
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毋庸置疑，目前全球最廣為應用的功率模組，當屬IGBT 和SiC。SiC 模組最初是被應用在特斯拉汽車上，現在也被其他製造商用於功率逆變器。 何謂IGBT 模組？
投身車電領域的入門課：IGBT和SiC功率模組
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毋庸置疑，目前全球最廣為應用的功率模組，當屬IGBT和SiC。SiC模組最初是被應用在特斯拉汽車上，現在也被其他製造商用於功率逆變器。
與IGBT的區別
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SiC及Si MOSFET的Id相對Vd（Vds）呈線性增加，但由於IGBT有上升電壓，因此在低電流範圍MOSFET元件的Vds更低（對於IGBT來說是集極極電流、集極極-射極極間 ...