碳化矽 切割：「碳化矽切割」的搜尋結果
「碳化矽切割」的搜尋結果
個案研究：SiC晶圓片的完美切割
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由於碳化矽硬度極高，若以傳統Dicing進行切割，生產效率極低，同時晶粒品質不佳。 而雷射切割則有粉塵、設備成本極高、光源不穩定等問題。 因此碳化矽晶粒想要從研發 ...
碳化矽裂片技術淺談與其產業應用
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硬度方面，SiC僅次於鑽石與碳化硼，因此在切割、研磨時也較為困難，並且晶圓尺寸越大越棘手，SiC晶錠切割為晶圓的過程即唯一重要的製程技術，如何透過快速、有效率的技術 ...
雷射切割設備
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SiC Wafer Laser Cutter 碳化矽晶圓切割(異形切割) 觀看大圖. SiC Wafer Laser Cutter 碳化矽晶圓切割(異形切割). SiC Wafer Laser Cutter 碳化矽晶圓切割(異形切割). SiC ...
碳化矽(SiC)長晶與晶圓薄化設備的技術發展趨勢
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然而目前SiC長晶與晶圓薄化(切割、研磨、拋光)效率緩慢，使得目前製作成本居高不下，是SiC產業最關鍵的挑戰之一。因此本文透過觀察國際SiC晶圓領導廠商的動態與佈局，以及 ...
碳化矽(SiC) 鑽孔切割雕刻打標
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碳化矽鑽孔,細孔加工,微孔加工,碳化矽雷射鑽孔,碳化矽雷射雕刻,碳化矽雷射打標,碳化矽雷射切割, SiC laser drill,SiC laser engraving, SiC laser cutting, SiC laser ...
SiC晶圓製造究竟難在哪？
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第三代半導體材料主要是以碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鋅(ZnO)、金剛石 ... 切割成裸晶片。 SiC元件成本高的一大原因就是SiC基板製造困難。資料顯示 ...
德國研發晶圓切割技術
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先用一種混合了碳化矽和聚乙二醇的研磨液將金屬線沾濕，這條線比矽還硬，能切削矽晶棒，切割中的矽變為粉末時就會產生間隙，間隙寬度目前約180微米，代表當我們切割出 ...
SiC Wafer Laser Cutter 碳化矽晶圓切割(異型切割)
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關於紀易 ﹥ 商品介紹 > 設備類 > 雷射切割設備 > SiC Wafer Laser Cutter 碳化矽晶圓切割(異型切割). SiC Wafer Laser Cutter 碳化矽晶圓切割(異形切割) 觀看大圖. SiC ...
攻化合物半導體，SiC晶柱雷射切割研發聯盟簽MOU
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而傳統線切割技術，因碳化矽高硬度使得線割磨耗大及切割速度慢，未來開發先進雷射面切割技術，切割時間可大幅減少約85%，材料耗損減少約70%。由於國際 ...