MOCVD：MOCVD 磊晶軟硬體關鍵模組技術
MOCVD 磊晶軟硬體關鍵模組技術
MOCVD 有機金屬化學氣相沉澱設備
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MOCVD是一種半導體製程所需的設備，半導體製程的設備只有歐美日國家會製造，因為他們的規格要求都非常之高。我國的工程師經過很多年的研究，終於有了這種可以令我們驕傲的 ...
半導體薄膜材料有機金屬化學氣相沉積反應器之氣體動力 ...
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Metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) or vapor phase epitaxy (MOVPE) is a critical process for preparation of compound semiconductor thin-films.
安堉創新掌握MOCVD技術就是掌握未來
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所謂的MOCVD，其技術原理是在設備內部注入特殊氣體，並透過加溫讓氣體起化學反應，產生金屬有機化合物，沉積在機台裡面的基板上，形成原子排列而且整齊 ...
有機金屬化學氣相沉積法
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有機金屬化學氣相沉積法(MOCVD, Metal-organic Chemical Vapor Deposition)，是在基板上成長半導體薄膜的一種方法。 ... 而後面三個字母CVD 或是VPE，指的是所成長的 ...
有機金屬氣相磊晶系統及技術簡介
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MOCVD 廠內裝設有多組毒氣偵測儀(toxic gas monitor)，經常性檢測各種毒氣的洩漏量，並做監. 測報告。檢測點至少分別位於反應腔櫃內、幫浦. 端、氫化物鋼瓶櫃抽風管內 ...
產品技術
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MOCVD全稱是Metal-Organic Chemical Vapour Deposition（金屬有機化學氣相沉積設備），是在基板上生長電晶體薄膜的一種科技。 利用MOCVD科技，許多納米層可以以極高的 ...
磊晶設備MOCVD
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有機金屬化學氣相沉積/MOCVD. ENI HT-200U MOCVD為台灣與韓國共同開發，高溫MOCVD,其生長溫度在於≤1400°C,其高溫特性主要應用在異質介面的生長。目前該設備用在氮化鎵 ...
高科技產業製程風險控制
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MOCVD 程序為將載流氣體（Carrier gas）通過有機金屬反應源. 的容器時，將反應源的飽和蒸氣帶至反應腔中與其它反應氣體混合，. 然後在被加熱的基板上面發生化學反應促成 ...