sram snm定義:廣域電壓範圍操作之靜態隨機存取記憶體設計

廣域電壓範圍操作之靜態隨機存取記憶體設計

廣域電壓範圍操作之靜態隨機存取記憶體設計

SRAM之記憶單元在設計時要特別考量其低抗雜訊的能力,一般是看靜態雜訊極限(StaticNoiseMargin;SNM),圖十六是我們設計的記憶單元其SNM的模擬結果。。其他文章還包含有:「3T1DSRAM的特徵及操作」、「751001.pdf」、「ALowPowerandHighReadStabilitySRAMCellUsing...」、「SRAM小科普」、「保持噪声容限」、「靜態隨機存取記憶體」

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