mbe原理：1.1 InAsGaAs 量子點材料介紹

1.1 InAsGaAs 量子點材料介紹

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其主要技术特征是：在超高真空条件下，分子或原子的热运动平均自由程足够长；源炉中的源材料被加热到适当的高温后，其分子或原子从表面蒸发或升华出来 ...

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分子束外延的英文縮寫為MBE，這是一種在晶體基片上生長高質量的晶體薄膜的新技術。在超高真空條件下，由裝有各種所需組分的爐子加熱而產生的蒸氣，經小孔準直後形成的 ...

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分子束外延的英文縮寫為MBE，這是一種在晶體基片上生長高質量的晶體薄膜的新技術。在超高真空條件下，由裝有各種所需組分的爐子加熱而產生的蒸氣，經小孔準直後形成的分子 ...

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原理簡介： ... 分子束磊晶是利用加熱欲鍍材料提高其蒸氣壓，蒸氣分子在超高真空(10 -10torr以下)的環境下，以直線行進不與其他分子碰撞的情況下前進到基板之上，形成緻密的 ...

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分子束磊晶（英語：Molecular beam epitaxy, MBE）是使單晶材料生長的一種方法，由貝爾實驗室的J. R. 亞瑟（J. R. Arthur）和卓以和（Alfred Y. Cho）於1960年代後期 ...

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原理：. 分子束磊晶（MBE，Molecular Beam Epitaxy）為一種長晶技術，主要是用來成長品質優良之半導體、金屬或是絕緣體薄膜。薄膜成長時，處於一個非熱平衡狀態，其成長 ...

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MBE本質上是一種具. 空蒸鍍技術,一般的真空蒸鍍法達不到半導體薄膜所. 需的高純度、晶體結構的完整性和雜質種類,濃度的. 高低控制的要求。隨著超高真空技術的發展,源控制( ...

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一般的MBE 蒸鍍裝置有分子源坩堝(Knudsen cell, K-cell) 以及高功率電子槍(E-beam ... 而電. 子槍裝置(圖2(b)) 的工作原理係將鎢絲在高電壓. 下(約5 kV) 通以電流激發出 ...