sic mosfet原理:SiC-MOSFET的特徵
SiC-MOSFET的特徵
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SiC
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SiC功率元件半導體的優勢前面已經介紹過,如低損耗、高速開關、高溫工作等,顯而易見這些優勢是非常有用的。本章將通過其他功率電晶體的比較,進一步加深 ...
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什么叫SiC功率器件?SiC
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SiC器件漂移层的阻抗比Si器件低,不需要进行电导率调制就能够以MOSFET实现高耐压和低阻抗。 而且MOSFET原理上不产生尾电流,所以用SiC-MOSFET替代IGBT时,能够明显地减少 ...
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何謂SiC
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另外,第二代(2G)SiC-MOSFET中,由2個電晶體並聯組成了1個開關,但由於第三代(3G)SiC-MOSFET導通電阻更低,電晶體數得以從8個減少到4個。關於效率, ...
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如何正確理解SiC MOSFET的靜態和動態特性
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我們定義了CoolSiC™ MOSFET不同溫度下的輸出特性曲線,如圖1左側所述。閾值電壓VGS(th)遵循器件的物理原理,隨著溫度的升高而下降,如圖1右側所示。
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從原理到實例:詳解SiC MOSFET如何提高電源轉換效率
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首先要清楚瞭解相關技術和術語:採用SiC架構的FET是MOSFET,就像之前的矽晶片一樣。從廣義上講,其內部物理結構相似,二者均為三端元件,具有源極、汲極和閘極連接。
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從原理到實例:詳解SiC MOSFET將如何提高電源轉換效率
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本文以Cree/Wolfspeed的第三代SiC MOSFET為例,分析了SiC MOSFET與傳統的Si MOSFET相比在效率和散熱能力方面的性能優勢,並說明了利用SiC MOSFET, ...