Mos FoM:了解提升功率密度的權衡與技術(Rev. C)
了解提升功率密度的權衡與技術(Rev. C)
MOSFET简介
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因此,在比较MOSFET的性能时,应采用FOM(Figure of Merit)即“性能指数”来进行比较。 FOM包括Ron×Ciss、Ron×Qg、Ron×A等。 总之,要比较“芯片尺寸很小的同时ON电阻也很 ...
Vishay 專家提醒你:要重新思考功率MOSFET 的優點!
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... FOM正在日益被用作MOSFET的規格(specmanship)要素。 MOSFET FOM 最簡單、最廣泛使用的定義是 Rds x Qg 乘積。 每個新的MOSFET 產品線發佈時,都會 ...
当下公认的MOSFET品质因数还有意义吗?
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从导通和开关性能的角度来看,我们都习惯于将MOSFET的品质因数(FOM)视作漏极至源极通态电阻RDS(on)和栅极电荷Qg的乘积。 FOM = RDS(on) x Qg. 在下定义 ...
意法半導體第三代SiC平台引領電晶體FoM的進步
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服務橫跨多重電子應用領域的全球半導體領導商意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST)推出第三代STPOWER碳化矽(SiC) MOSFET電晶體。
氮化鎵功率電晶體的基礎
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常用的. 指標FOM是RDS(on)乘以QG,顯示了元件在開啓. 狀態及切換時的表現。圖7展示了氮化鎵電. 晶體與最優異矽MOSFET 100V器件之FOM比. 較。當電壓增加,其RxQFOM更具優勢 ...
菜鳥選擇MOSFET的四步驟!
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這個“優值系數”(FOM)總結了器件的性能,可以用典型值或最大值來比較MOSFET。要保證在器件中進行準確的比較,妳需要確定用於RDS(on) 和Qg的是相同的VGS,在 ...
針對同步整流最佳化中壓功率MOSFET成效卓著
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... MOSFET的主流。這主要是因為這種元件不僅特徵導通阻抗特別低,而且能夠在BVDSS範圍內獲得出色的RDS(on)×QG品質因數(FOM)。 溝槽式閘極結構可以大幅 ...