長晶爐原理：TWI504306B
TWI504306B
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CN103710741A
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而从原理层面，降低缺陷对于该工艺来说几乎不可能。 热交换法(HEM，Heat Exchange ... 本发明单晶长晶方法，以单晶长晶炉及结合在其下部的热交换器，通过热交换法培养 ...
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HD1
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TWI701363B
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於是，本發明人有感上述缺陷可改善，乃特潛心研究並配合科學原理的運用，終於提出 ... 所述矽單晶長晶設備100包含有一爐腔1、一坩堝2、一拉提元件3、一加熱元件4、及一 ...
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柴可拉斯基法
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機械工程學系
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柴氏長晶法屬於熔融液生長法(Melting Growth)的一種，一般工業. 界使用的長晶爐如圖1-1 所示，其架構可分為控制系統、矽晶爐體、. 加熱器、晶棒/坩鍋拉升旋轉機構與氣體 ...
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第3類半導體晶片怎麼做？基板難在哪？圖解生產流程
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... 長晶（生長碳化矽單晶）做起，作法是將碳化矽粉體倒入長晶爐，在高溫且密閉的空間使其昇華，讓晶源粉末的蒸汽冷凝後，附著在碳化矽晶種上。 碳化矽的長晶 ...
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走进长晶炉的世界
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... 晶硅和其他单晶材料。它是由波兰科学家托德·科赫拉尔斯基于1916年发明的，被广泛应用于半导体工业和光电子学领域。 长晶炉的主要原理是通过将原材料 ...
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長晶爐監診
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長晶爐監診. 長晶過程生長異常如何找出異常振動源？ FAB端晶圓Wafer是半導體製造積體電路中，最重要的材料。如何監診長晶爐？預防長晶爐的異常抖動造成晶種生成的不良 ...