化學機械研磨原理：第十二章化學機械研磨
第十二章化學機械研磨
CMP
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化學機械平坦化會移除晶圓正面的多餘材料並進行平坦化，方法是透過在晶圓背面施加精確的下壓力，將正面壓在特殊材料的旋轉墊上；特殊材料包含了化學物質和研磨劑的混合物。
CMP化學機械研磨
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在半導體製程中，晶圓上不斷的經過沉積→曝光→顯影→蝕刻，而堆砌出一層層的微電路（如下方影片）；然而，若每層微電路都凹凸不平，勢必影響層間的 ...
CMP是什麼意思？製程深入介紹，清楚瞭解技術與原理！
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所謂的「CMP」，意為「化學機械研磨，Chemical-Mechanical Polishing」的縮寫。是指使用研磨劑（Slurry），將晶圓減薄或是鏡面化的一道工藝。一般在半導體 ...
化學機械平坦化
https://zh.wikipedia.org
化學機械平坦化是表面全局平坦化技術中的一種，既可以認為是化學增強型機械拋光也可以認為是機械增強型濕法化學刻蝕。該製程使用具有研磨性和腐蝕性的磨料，並配合使用拋光 ...
化學機械平坦化
https://zh.wikipedia.org
化學機械平坦化是表面全局平坦化技術中的一種，既可以認為是化學增強型機械拋光也可以認為是機械增強型濕法化學刻蝕。該製程使用具有研磨性和腐蝕性的磨料，並配合使用拋光 ...
化學機械研磨廢水相關處理技術
https://proj.ftis.org.tw
這項平坦化技術的原理就是利用類似“磨. 刀”這種機械式的原理，配合適當的化學藥劑（Reagent），將晶片. 表面高低起伏不一的輪廓一併加以“磨平”的平坦化技術。只要各種.
化學機械研磨技術之應用與展望
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化學機械研磨製程之控片與樣片之移除率及不平坦
https://ir.nctu.edu.tw
化學機械研磨(Chemical-Mechanical Polish, CMP)是一個極為複雜. 的製程，其中包括物理、化學及機械的研究領域[1]；而其研磨的過程，. 主要是靠機械手臂上的晶圓載具吸起晶 ...
應用邊界元素法模擬化學機械研磨之晶圓應力 ...
https://tpl.ncl.edu.tw
化學機械研磨時會造成晶圓邊緣應力集中，使晶圓在邊緣處過度研磨，使材. 料移除率增大，導致晶圓表面不平坦度提高，而無法達到全域平坦化。由Preston. 方程式得知，材料移 ...