tsv封裝技術：3D IC TSV製程技術簡介
3D IC TSV製程技術簡介
10個不可不知的先進IC封裝基本術語
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TSV是2.5D和3D封裝解決方案的關鍵實現技術，是在晶圓中填充銅，提供貫通矽晶圓裸晶的垂直互連。它貫穿整個晶片以提供電氣連接，形成從晶片一側到另一側的 ...
3D IC應用市場核心技術TSV的概況與未來
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也因此相較於其他的技術來看，主宰3D IC產業的關鍵技術，未來仍將以矽通孔（Through Silicon Vias；TSV）製程為主。應用TSV來堆疊3維晶片是封裝技術的一個新突破，其未來 ...
Tsv 封裝
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TSV 是一種讓3D IC 封裝遵循摩爾定律（Moore's Law）的互連技術，TSV可堆疊多片晶片，其設計概念來自於印刷電路板（PCB）, 在晶片鑽出小洞（製程又可分TSV ...
先進IC封裝技術往TSV 3D IC為必然發展方向
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實際上，台積電早於2011年下半就已跨入後段IC封裝領域，推出結合矽穿孔(Through Si Via；TSV) 技術，並在晶片與基板間插入矽中介層(Silicon Interposer)的 ...
從3D ICTSV 的不同名詞看3D IC 技術（下）
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TSV製程關鍵名詞解析穿晶片孔（Through Chip Via； TCV） 此為Toshiba在其chip scale camera module（CSCM）技術中用到的名詞（圖一）。此技術就是為了設計3D CIS。
異質整合突破應材火力支援IC封裝
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美商應用材料推出新材料及系統，為晶片製造商在混合鍵合（hybrid bonding）及矽穿孔（TSV）技術取得重大突破，協助整合小晶片至先進2.5D和3D封裝。
矽穿孔
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TSV 是一種讓3D IC封裝遵循摩爾定律（Moore's Law）的互連技術，TSV可堆疊多片晶片，其設計概念來自於印刷電路板（PCB）, 在晶片鑽出小洞（製程又可分為先鑽孔及後鑽孔兩種 ...
矽穿孔TSV封裝
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TSV為直通矽晶穿孔(Through-Silicon Via)封裝技術， 是一種能讓3D封裝遵循摩爾定律(Moore's Law)演進的互連技術，其設計概念是來自於印刷電路板(PCB)多層化的設計，TSV ...