MRAM：非揮發性的磁性記憶體
非揮發性的磁性記憶體
Magnetoresistive RAM
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Magnetoresistive random-access memory (MRAM) is a type of non-volatile random-access memory which stores data in magnetic domains.
MRAM技術：從太空應用到統一的快取記憶體？
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磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)是一種非揮發性記憶體技術，主要依靠兩個鐵磁層的(相對的)磁化狀態來儲存二進位資訊。近年來出現了不同特性的MRAM記憶體，使得 ...
MRAM較SRAM具有較低耗電的優點；在製程上
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MRAM屬於非揮發性記憶體，是以磁電阻特性儲存記錄資訊，具有低耗能、非揮發、半永久特性。MRAM最終主要目標是在整合PC內部所有的記憶體，使未來SOC中只剩下CPU與MRAM。
SOT
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自旋軌道力矩磁阻式隨機存取記憶體(SOT-MRAM)元件在末級(last-level)記憶體應用中面臨三個主要問題：可擴展性、動態功耗和製造中對緊湊型無磁場開關解決 ...
〈觀察〉被視為夢幻記憶體的MRAM 為何吸引半導體大廠相繼 ...
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MRAM 屬於非揮發性記憶體技術，是利用具高敏感度的磁電阻材料製造的記憶體，斷電時，所儲存的資料不會消失，耗能較低；讀寫速度快，可媲美SRAM(靜態隨機存 ...
如何使用MRAM 來提升邊緣運算的可靠性、縮短延遲並降低 ...
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MRAM 技術類似於具備SRAM 相容讀取／寫入時序的快閃記憶體技術；MRAM 有時稱為永久性SRAM (P-SRAM)。由於自身的特性，MRAM 特別適合必須以最短延遲來儲存 ...
磁性記憶體發展演進簡介
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磁記憶體(MRAM)是運用磁膜極化後形成自旋電阻差異來儲存資料，亦被稱為自旋記憶體。從早期磁鼓型、磁芯、磁鍍線至磁泡型記憶體結構，至今已開始走向MRAM ...
磁阻式隨機存取記憶體
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磁阻式隨機存取記憶體（Magnetoresistive Random Access Memory，縮寫為MRAM），是一種非易失性記憶體技術，從1990年代開始發展。這個技術的擁護者認為，這個技術速度 ...