direct tunneling原理：高介電絕緣層對先進金氧半場效應電晶體元件影響之研究
高介電絕緣層對先進金氧半場效應電晶體元件影響之研究
MOSFET隧穿電流之理論研究
https://ir.lib.nchu.edu.tw
隧穿電流;direct tunneling current;場效電晶體;MOSFET;tunnel. 出版社: 物理學系 ... 國立臺灣大學 - 第一原理理論計算研究鐵/氧化鎂/鐵加覆蓋層的穿隧結之垂直磁異向性 ...
Retention Characteristic of SONOS Memory Cell ...
https://implementation.ee.nthu
穿隧分為兩大機制，一是直接穿隧(Direct-Tunneling)，. 二是F-N 穿隧(Fowler-Nordheim Tunneling)。直接穿隧的電子不需要比能障(Energy Barrier)能. 量高，就有穿過能障 ...
半導體中的隧道效應
https://zh.wikipedia.org
半導體中的隧道效應（又稱穿隧效應，tunneling effect）是指量子穿隧效應體現在半導體元件上的一個例子。這種現象在半導體元件的尺度不斷縮小後愈加明顯。
奈米科技研究所
https://ir.nctu.edu.tw
3 直接穿隧（Direct Tunneling ... ＊寫入與抹除原理. 快閃記憶體利用EEPROM 的方法來寫入及清除，是藉由基板(substrate)與控制閘之間. 的電荷的注入/釋出而為之，如圖1-2 所 ...
工學院專班半導體材料與製程設備學程
https://ir.nctu.edu.tw
圖1-5. 直接能隙圖（direct bandgap）。 ... 下一個章節將討論電洞產生的機制。 2.3.2 帶對帶穿隧誘發熱電洞注入（band-to-band tunneling induced hot hole injection）機制 ...
栅极介质层的变迁(Gate Dielectric) （转）
http://blog.zy-xcx.cn
... 原理了，大家可以参阅前面的topic有详细介绍。(http://ic-garden.cn/?p=403) ... 所以无论从F-N tunneling还是direct tunneling都有一个直接的问题就是 ...
第一章緒論
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... (Direct tunneling)、熱電子載子注入(Hot carrier channel injection)以及F-N Tunneling 等等‚其中. F-N Tunneling 的擦拭及寫入機制如[圖4.19]所示‚為了要驗證本實驗的 ...
綜觀非揮發性記憶體技術－SONOS 與奈米晶體元件
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... (direct tunneling) 便被使用在奈米點記憶體。直接式穿隧. 對於能障的寬度就比能障的高度來得敏感(17)，在漏. 電流方面可以減少二至四個級數的大小。 ② 傅勒－諾德翰穿隧 ...
電子工程學系電子研究所碩士班碩士論文
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... (direct-tunneling)及傅勒-諾德翰. 穿隧(Fowler-Nordheim tunneling)。而本體限制 ... 原理類似F-N tunneling，電子利用電場輔助以穿隧的方式進行傳導，尤其當. 介面有大量 ...