mosfet三極區：金屬氧化物半導體場效電晶體
金屬氧化物半導體場效電晶體
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【解析】. FET作為開關時，工作在截止區和三極區。 BJT作為開關時，工作在截止區和飽和區。 BJT為雙載元件不具對稱性，FET為單載子元件具有對稱性。
CH08 場效電晶體
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空乏型MOSFET工作於歐姆區（三極區）(1). △圖8-12 N通道空乏型MOSFET工作於歐姆區. (a) VGS = 0時. (b) VGS < 0時. 空乏模式. 閘極負電壓排除電子，使通道有效寬度減少.
MOSFET的操作原理
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當閘極沒加偏壓（相對於基板本體或與之連結之源極），源極與汲極間. 只是像兩個反向串接的pn接面，互不導通，NMOS在所謂的截止(cut off). 狀態。 S. D. G. I. D. V. GS.
四、場效電晶體原理1. 電晶體簡介2. MOSFET的操作原理(定性 ...
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MOSFET：利用閘極的偏壓在MOS. 電容的半導體和氧化層介面處吸引. 導電載體形成通道 ... 當在截止區時，源極和汲極均無電容效應，即. 0. = = gd gs. C. C. 若要考慮基板(body) ...
場效電晶體
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場效電晶體(field effect transistor，簡稱FET)。FET的. 內部載子只有一種(N通道為電子，P通道為電洞)，所以是. 單極性裝置。FET是電壓控制裝置，用閘極與源極間的電.
場效電晶體
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所有的FET都有閘極（gate）、汲極（drain）、源極（source）三個端，分別大致對應雙極性電晶體的基極（base）、集極（collector）和射極（emitter）。除了結型場效應管外， ...
請教電子學大大mosfet 三極區id 公式有兩種？
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如果K=MC(W/L)Kn=MC如上圖的id = Kn(W/L)*[(Vgs-Vt)*Vds-0.5(Vds)^2]如上圖的id = K[2(Vgs-Vt)Vds-Vds^2]依我的理解Kn(W/L)=K 所以這兩個公式差別在 ...
電晶體是什麼？ MOSFET的特性
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功率MOSFET的結構包含圖1所示的寄生容量。 利用氧化層在MOSFET的G (閘極)端子和其他電極之間形成絕緣，讓在DS (汲極．源極)之間形成PN接合區，如此即形成類似二極體的結構 ...