極紫外光波長：極紫外光刻
極紫外光刻
EUV是個什麼酷東西？ — 決定未來半導體先進製程的關鍵技術
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EUV，全名為Extreme Ultraviolet，中文叫做「極紫外光」，是一種波長極短的紫外光，一般生活中要塗乳液防曬的紫外線波長約在100~400奈米，而極紫外光 ...
全球瘋搶EUV 曝光機！究竟是摩爾定律的救命曙光
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許多人將救命目光投向了「極紫外光曝光機」。 極紫外光（Extreme ultraviolet, EUV）是波長小於13.5 奈米的光，使用EUV 作為光源的曝光機，即為EUV 曝光機 ...
新一代製程的關鍵：13.5奈米的「極端」紫外光
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它的優點是波長的匹配：其波長13.5奈米和EUV常用的光學元件(通常是鉬和矽的多層結構)搭配的很好，反射率可以高達60%以上。它的缺點是副產物：受雷射照射後 ...
极紫外光刻
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EUV微影製程選擇第二中作法,將光源波長降低13.5奈米來提升電路圖案解析度，由於EUV波長太短,非常容易被大氣吸收,因此此道製程需要在真空環境中完成。目前EUV微影製程機台由 ...
極紫外光刻:簡介,概述
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EUV光刻採用波長為10-14納米的極紫外光作為光源，可使曝光波長一下子降到13.5nm,它能夠把光刻技術擴展到32nm以下的特徵尺寸。 根據瑞利公式（解析度=k1·λ/NA），這么短的 ...
極紫外光刻Extreme Ultraviolet Lithography
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使用激光脈衝錫(Sn) 液滴等離子體，我們使用13.5 nm 左右的極紫外(EUV) 波長（從Sn IX 到Sn XIV 處於離子態的Sn 離子為4p64dn 到4p54dn+1，給出了13.5 nm 附近的光電發射 ...
極紫外光微影
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極紫外光微影(EUVL)是22nm結點以下之次世代微影技術中的主流技術。與現今的深紫外光(l=193nm)微影技術相較，極紫外光的波長(13.5nm)大幅縮短，能量更高，因此從光源、光 ...
極紫外光微影製程
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EUV微影製程選擇第二中作法,將光源波長降低13.5奈米來提升電路圖案解析度，由於EUV波長太短,非常容易被大氣吸收,因此此道製程需要在真空環境中完成。目前EUV微影製程機台由 ...
極紫外輻射
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極紫外輻射（英語：Extreme ultraviolet radiation）又稱極紫外光或高能紫外線輻射，簡稱EUV、XUV，是波長在124nm到10nm之間的電磁輻射，對應光子能量為10eV到124eV。