metal gate半導體：淺談先進電晶體：新一輪晶片製程中，誰勝出？有何發展趨勢？
淺談先進電晶體：新一輪晶片製程中，誰勝出？有何發展趨勢？
28奈米製程
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... 極（High-k Metal Gate，HKMG）的後閘極（Gate-last）技術為主。相較於前閘極（Gate-first）技術，後閘極技術具備較低的漏電流以及能提供更佳的晶片效能等優勢。
32奈米以下IC半導體性能提昇的重要推手
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high-k/metal gate技術預計可在2009-2010年達到32nm世代的量產化，如圖一所示，藉此技術的增進得以降低元件的驅動電流並抑制漏電流，使32nm以下大型積體 ...
Low k、High k到底在幹嘛？
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事實上在Intel發表正式研發成功High k/Metal Gate技術前，半導體業界早已在討論High k技術，原本預測2007年此項技術就會開始盛行，不過此預測稍過樂觀， ...
TW201904063A
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具有金屬閘極之半導體元件之製作方法. 本發明係有關於一種具有金屬閘極(metal gate)之半導體元件及其製作方法，尤指一種實施後閘極(gate last)製程與後閘極介電層(high ...
五分鐘讓你看懂FinFET
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... Gate）」，閘極下方有一層厚度很薄的氧化物（黄色），因為中間由上而下依序為金屬（Metal ... 半導體（Semiconductor），因此稱為「MOS」。 MOSFET 的工作 ...
半導體裝置與具有金屬閘極之半導體裝置的製造方法
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例如，磊晶層可包含不同於半導體塊材之半導體材料，例如由選擇性磊晶成長所 ... Gate structure including modified high-k gate dielectric and metal gate interface. * ...
金屬門Metal Gate
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第一個MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）是1959 年由Mohamed Atalla 和Dawon Kahng 在貝爾實驗室創建並於1960 年進行演示的。他們使用矽作為溝道材料，並使用非自對 ...
高介電係數閘極介層技術
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... Gate Dielectric)技術是半導體元件進入深. 次微米乃至於奈米世代的一項重要關鍵 ... △圖四Single Metal與Dual Metal Gate的能帶示意圖. Page 7. 第14 期電子與材料雜誌.