半導體爐管製程：高溫水平爐管1
高溫水平爐管1
JTEKT Thermo Systems直立式爐管的特殊頁面
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本頁面介紹用於半導體製造的JTEKT Thermo Systems旗艦級直立式爐管所採用的功能和技術。廣泛的產品陣容提供出色的溫度分佈和氣氛控制，可用於從實驗到量產的廣泛應用。
垂直爐管技術資料
https://www.tsri.org.tw
... 半導體元件製造的一部份。 A-400 結構由下列組成：. ‧Work-In-Progress（WIP ... 這設計提供下列優點：. ‧製程是“Cassette-to-Cassette”，在乾淨、含氧量及塵粒減少 ...
垂直爐管標準製程
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Dry Oxide 是以APCVD 的方式成長，通入純氧跟矽基板反應形成SiO2，薄. 膜成長速度慢，適合用於成長較薄的氧化層。 反應氣體：. 反應溫度：800-900 ℃. ○ Application：.
工學院半導體材料與製程設備學程碩士論文
https://ir.nctu.edu.tw
常壓(Atmospheric Pressure, AP)爐管：又稱常壓化學氣相沉積爐. 管，又稱氧化爐管，為常壓狀態下通入O2、N2O、H2等氣體遂行所需之. 製程。內墊氧化矽層即是由此製程技術 ...
水平爐管個別原理
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退火製程目的，是要消除物體因內應力或外來因素(Implant)所導致的缺陷，使. 物體結構得以重整。在VLSI 半導體製程上的應用，也就集中在一些需要做材質. 結構重整步驟上。如 ...
第一章緒論
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在半導體製程中,沈積多晶矽(Poly film)時,一般都是利用爐管方式做沈積,. 也就是使用低壓化學氣相沉積(LPCVD;Low Pressure chemical vapor deposition)方. 式,藉著矽甲烷( ...
第五章熱製程
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熱製程對溫度非常敏感. • 精確的溫度控制是重要的. • 中心區域±0.5 °C; 1000 °C ±0.05%!. 4. 垂直式爐管. 製程反應室. 晶圓. 塔架.
高溫水平爐管2
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唯一可以進金屬，破片的爐管。 退火並非沉積薄膜製程，是利用適當之熱處理條件使發生回復、再結晶與晶粒成長之過程。 若金屬導線為鋁時，溫度不可超過450 ℃以避免金屬 ...