相 位移 光罩 原理：PSM光罩(相位偏移光罩)

IC光罩應用介紹及其未來發展

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光罩工業及其製程技術之探討

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相位移光罩是利用不同相位的光源，來消除光之干射及繞射現象，主要功能為提高解析度、及景深（Depth of Focus；簡稱DOF），從而增加微影製程的Process Latitude，被應用在 ...

半導體器件用光掩模

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移相掩模（Phase-Shifting Mask：PSM）指透過控制光的相位及透過率，改善對晶圓曝光時的分辨率及焦點深度（DOF：Depth of Focus），是提高了復刻特性的光掩模。對於曝光 ...

工學院半導體材料與製程設備學程

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3. 無鉻膜式相位移光罩(Chrome-less Phase-Shifting Mask). 無鉻膜式相位移光罩的原理是利用石英作為相位移層材料取代. 鉻膜來定義圖案輪廓，此外，由於反相干涉，相位移層 ...

用於次25 奈米極紫外光曝光機之新穎反射型衰減式相位移光罩

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相位移光罩(phase-shifting-mask) 是目前一種極為重要的解析度增益技術，它將被應用於未來. 的極紫外光(EUV) 微影術中，以製作25 nm 以下的圖案。

相位移光罩技術與半導體微影製程

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半導體微影製程的原理是在晶片上覆蓋一層感光材料，使來自光源的平行光經過光罩，打在感光材料上，光罩上的圖案將反射入射光，而透過光罩的光束就具備與光 ...

相轉移光罩技術

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相轉移光罩即利用此原理使有相轉. 移之光束與無相轉移之光束產生破壞性. 干涉，藉而 ... 來相轉移材料之透光率及相位移角度是. ;;;;;;;;;;;;;;;;; yyyyyyyyyyyyyyyyy.

第一章緒論

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入射光透過圖罩相移層與非相移層二者之光幅產生π相位. Page 2. 2. 差，形成破壞性干涉，如圖1-2。主要以空間頻率調變與邊. 端強化二大原理，來增強解像度(Resolution)與焦 ...

黃光微影製程技術

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相位轉移光罩. 此技術主要將光視為. 電磁波，因光波有波. 長、振幅與相位。一. 般光罩控制入射光的. 幅度，而相位轉移式. 光罩還控制其相位。 多透過一層相移層，. 將相位 ...