ild0半導體：半導體裝置及其製造方法

半導體裝置及其製造方法

於第1B圖中,可將一部分的ILD層140移除並以化.學機械研磨平坦化製程150(例如ILD0CMP製程)平坦.化,直到抵達或露出該裝置110的虛置多晶矽閘極結構.116的頂部。然而 ...。其他文章還包含有：「TWI535024B」、「第十章介電質薄膜SiO」、「TWI406331B」、「TWI440088B」、「發明專利說明書」、「TWI415263B」、「半導體結構及其製造方法」、「我在英特爾做工程師」

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TWI535024B

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方法400持續操作406，其中第一介電質(ILD0)係在該基板上。方法400持續操作408，其中進行化學機械平面化(CMP)操作，以暴露虛擬閘極結構的頂部表面。方法400持續 ...

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第十章介電質薄膜SiO

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ARC: 反射層鍍膜; IMD: 金屬層間介電質層; PMD: 金屬沈積前的介電質層;. STI: 淺溝槽絕緣; LDD: 低摻雜汲極; ILD:金屬層間介電質層 ...

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TWI406331B

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於第1B圖中，可將一部分的ILD層140移除並以化學機械研磨平坦化製程150(例如ILD0 CMP製程)平坦化，直到抵達或露出該裝置110的虛置多晶矽閘極結構116的頂部。然而，以 ...

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TWI440088B

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為保護半導體裝置不受遷移離子及其他不期望雜質引起之電荷損耗／增益的影響，該等BEOL介電層通常包括一形成該第一層間介電(ILD0)質之全部或部分之硼磷原矽酸四乙酯(BPTEOS) ...

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發明專利說明書

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本文說明一種用於在一半導體裝置上形成一第一層間介. 電質(ILD0)的方法及設備,其中該ILD0層包括一厚度大致. 均勻之保護吸收層。在一被選實施例中,該ILD0層藉由在. 該等 ...

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TWI415263B

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本發明一實施例之半導體裝置包括一半導體基板，其具有一源極區和一汲極區，上述 ... ild0 gap filling. TW201738943A 2017-11-01 半導體結構及其製作方法. TWI681444B ...

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半導體結構及其製造方法

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在如圖5C 所示的一些實施例中,形成隔板116與介電質. (ILD0)130。介電質130包含介電材料,其係由摻雜的矽玻璃所製. 成,例如磷矽玻璃(PSG)或是硼磷矽玻璃(BPSG)。在一些實施 ...

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我在英特爾做工程師

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我一個負責ILD0的小小製程工程師，要負責這麼多的事？說實在的，Pad是不是“罪魁禍首”，當時我們手頭沒有任何資料，能夠證明一定是他們的問題。於是 ...

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