乾式去光阻:了解去光阻及蝕刻(striping&etching)

了解去光阻及蝕刻(striping&etching)

了解去光阻及蝕刻(striping&etching)

由於剝除光阻作用的化學藥劑內容較為複雜,剝除光阻後除可能在導電金屬層表面產生氧化層,也常見親水性不佳的副作用,因此常在剥除乾膜厚使用電漿微蝕方式 ...。其他文章還包含有:「工學院半導體材料與製程設備學程」、「半導體概論」、「以氣體分佈板對乾式去除光阻蝕刻均勻度之研究」、「乾膜光阻去除」、「濕式化學品在半導體製程中之應用」、「光阻去除與晶圓清洗產品」、「最常使用之晶圓表面清潔步驟為濕式化學法(wetch...

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工學院半導體材料與製程設備學程
工學院半導體材料與製程設備學程

https://ir.nctu.edu.tw

一般在乾式蝕刻和灰化去光阻製程後因為在鋁銅通道及表面上還. 會有殘留的聚合物物質需要清除,所以一般會使用含氨類的化學品進行. 清洗,因為些微的聚合物會讓後面鎢金屬 ...

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半導體概論
半導體概論

https://my.stust.edu.tw

1. 有機溶液(丙酮或芳香族等)對光阻進行結構性的破壞,使光阻溶於有機溶液裡,以達成移除光阻。 ... b. 乾式去光阻: 以Plasma來進行光阻的去除,氣體使用氧氣利用RF(13.56MHz) ...

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以氣體分佈板對乾式去除光阻蝕刻均勻度之研究
以氣體分佈板對乾式去除光阻蝕刻均勻度之研究

https://ndltd.ncl.edu.tw

本研究是以氣體分佈板為主,作乾式去除光阻蝕刻均勻度影響之分析與改善,在乾式去除光阻製程設備中使用300mm晶圓控片,塗佈30000Å光阻。以氣體分佈板規範氣孔倒角大小 ...

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乾膜光阻去除
乾膜光阻去除

http://www.gptc.com.tw

因為負光阻產生交連作用(Cross-linking),光阻比較不易去除,常用的光阻剝離劑(PR Stripper)為NMP (N-methyl-pyrrolidinone)。乾膜光阻去除(PR stripping)製程一般使用Wet ...

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濕式化學品在半導體製程中之應用
濕式化學品在半導體製程中之應用

https://www.materialsnet.com.t

一為濕式去光阻法,另一則為乾式去光. 阻法。濕式去光阻法是利用有機溶液,. 將光阻材料溶解而達到去光阻之目的,. 所使用之有機溶劑如N-Methyl-. Pyrolidinone(NMP) ...

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光阻去除與晶圓清洗產品
光阻去除與晶圓清洗產品

https://www.lamresearch.com

Lam Research的光阻去除技術可選擇性地去除殘留的光阻,並為多種應用提供製程靈活性,而我們的高生產力晶圓清洗產品可為最嚴苛的清洗步驟提供從中心到邊緣的原始表面。 光 ...

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最常使用之晶圓表面清潔步驟為濕式化學法(wet chemistry)
最常使用之晶圓表面清潔步驟為濕式化學法(wet chemistry)

https://www.tsri.org.tw

這種清洗是光阻經臭氧電漿去灰後,再經硫酸清洗。因光阻主要的成份是碳氫氧有機物,當硫. 酸(H2SO4)和過氧化氫(H2O2)混合後,即產生「卡羅酸」(Caro´s Acid-H2SO4);光阻 ...