矽晶圓研磨：TWI718123B
TWI718123B
TW201617170A
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一種矽晶圓的精拋光方法，係使用拋光劑與拋光布而進行精拋光，拋光劑係含有矽酸膠、氨以及羥乙基纖維素，矽酸膠藉由BET法所量測出的一次粒徑為20nm以上且未滿30nm， ...
TWI447797B
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又，已知一般藉由使用了含有作為研磨粒的矽土微粒子等的研磨液的化學機械研磨(mechanochemical polishing)，來對矽晶圓進行研磨，該研磨方法合成了由矽土微粒子產生的機械 ...
半導體矽晶圓研磨
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CP測試時因墨點過大, 易造成晶圓正面平坦度不良, 以致研磨時易產生裂痕 請客戶在測試時務必防止此一現象, 以免造成晶圓裂痕 高品質, 交期快, 低成本
原材料矽片清洗
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... 晶片的銳利邊緣磨成特定的圓弧形。 7, 晶圓研磨(Wafer Lapping), 利用研磨機(Lapper)，去除切片或磨輪所造成的鋸痕(Saw Mark)及表面損傷層。 8, 晶圓蝕刻(Wafer Etching) ...
熱熔膠研磨墊的開發及其對矽晶圓研磨效果之研究
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熱熔膠研磨墊的開發及其對矽晶圓研磨效果之研究. 論文名稱(外文):, Development of hot-melt adhesive pad and study of silicon wafer grinding effect. 指導教授 ...
矽晶圓的兩面研磨方法
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本發明是利用兩面研磨裝置同時研磨矽晶圓的表面及背面的矽晶圓的兩面研磨方法，其連續地包括：第1研磨工序，一面將由包含研磨粒的鹼水溶液構成的第1研磨液供給至研磨布， ...
矽晶圓薄化之研磨特性研究
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... 矽晶圓移除速率幾乎成線性關係。當加工壓力減少時，晶圓表面就會越平坦。另外可從理論模擬的結果得知，晶圓轉速和磨盤轉速兩者的轉速比會影響晶圓表面上的研磨軌跡型態 ...