晶圓研磨目的：晶圓研磨拋光均勻度不佳？
晶圓研磨拋光均勻度不佳？
CMP是什麼意思？製程深入介紹，清楚瞭解技術與原理！
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所謂的「CMP」，意為「化學機械研磨，Chemical-Mechanical Polishing」的縮寫。是指使用研磨劑（Slurry），將晶圓減薄或是鏡面化的一道工藝。一般在半導體 ...
DBG(Dicing Before Grinding)製程
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DBG就是將原來的「背面研磨→切割晶片」的製程程序進行逆向操作，先對晶片進行半切割加工，然後利用背面研磨使晶片分割成晶粒的技術。經通運用該技術，能有效地抑制 ...
TWI447797B
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本發明是有關於一種矽晶圓的研磨方法，將含有研磨粒的研磨液供給至研磨墊(pad)的表面，並使上述研磨墊相對於矽晶圓(silicon wafer)而相對地滑動，藉此來對矽晶圓的表面 ...
TWI460777B
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本發明之一目的在於找到一種能避免習知技術之缺點的新穎研磨方法。 該目的藉由一種用於處理半導體晶圓的方法來實現，其中係使至少一研磨工具和至少一半導體晶圓的側面 ...
個案研究
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矽晶圓生產過程中一個非常重要的步驟就是化學機械研磨(CMP)製程。主要目的為製作更大尺寸之晶圓尺寸，以及線條寬度與特徵尺寸更狹窄的小尺寸晶片。
半導體晶圓的製造方法
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... 研磨盤對半導體晶圓進行邊緣圓. 整,其中粒徑係小於步驟(a)中採用的粒徑;. (e) 用一 ... 目的。 步驟(f)一對半導體晶圓的至少一面實施FAP拋光. 在步驟(f)中,使用一含有平均 ...
拋光
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矽晶圓元件隨著IC封裝短小化，薄型化，內置晶粒也需要跟著薄化，因此為了提高強度，晶圓背面研磨後會進行應力釋放的製程。此外，用於高輝度LED藍寶石基板(Al2O3)，高速 ...
背面研磨(Back Grinding)决定晶圆的厚度
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背面研磨是将晶圆背面磨薄的工序，其目的不仅是为了减少晶圆厚度，还在于联结前端和后端工艺以解决前后两个工艺之间出现的问题。半导体芯片（Chip）越薄， ...