濕製程乾製程:第四章個案分析與結果
第四章個案分析與結果
![Chap9 蝕刻(Etching)](https://i0.wp.com/api.multiavatar.com/Chap9+%E8%9D%95%E5%88%BB%28Etching%29.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
Chap9 蝕刻(Etching)
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利用薄膜和特定溶液間所進行的. 化學反應,來去除未被光阻覆蓋. 的薄膜. ◇ 優點:製程簡單、產量速度快、. 屬等向性蝕刻. ◇ 濕式蝕刻的化學反應屬於液相及.
![Etch](https://i0.wp.com/api.multiavatar.com/Etch+-+%E8%9D%95%E5%88%BB.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
Etch
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![什麼是蝕刻(Etching)?](https://i0.wp.com/api.multiavatar.com/%E4%BB%80%E9%BA%BC%E6%98%AF%E8%9D%95%E5%88%BB%28Etching%29%EF%BC%9F.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
什麼是蝕刻(Etching)?
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在半導體製程上,蝕刻更是不可或缺的技術。 ... 濕蝕刻是將晶片浸沒於適當的化學溶液中,或將化學溶淬噴灑至晶片上,經由溶液與被蝕刻物間的化學反應,來移 ...
![必須將已曝光的部分從晶圓上除去,蝕刻製程的功能](https://i0.wp.com/api.multiavatar.com/%E5%BF%85%E9%A0%88%E5%B0%87%E5%B7%B2%E6%9B%9D%E5%85%89%E7%9A%84%E9%83%A8%E5%88%86%E5%BE%9E%E6%99%B6%E5%9C%93%E4%B8%8A%E9%99%A4%E5%8E%BB%EF%BC%8C%E8%9D%95%E5%88%BB%E8%A3%BD%E7%A8%8B%E7%9A%84%E5%8A%9F%E8%83%BD.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
必須將已曝光的部分從晶圓上除去,蝕刻製程的功能
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蝕刻技術可以分為濕蝕刻(wet etching)與乾蝕刻(dry etching)兩類。濕蝕刻是將晶片浸沒於適當的化學溶液中,或將化學溶淬噴灑至晶片上,經由溶液與被蝕刻物間的化學反應 ...
![晶圓製程中的乾蝕刻與濕蝕刻是什麼?](https://i0.wp.com/api.multiavatar.com/%E6%99%B6%E5%9C%93%E8%A3%BD%E7%A8%8B%E4%B8%AD%E7%9A%84%E4%B9%BE%E8%9D%95%E5%88%BB%E8%88%87%E6%BF%95%E8%9D%95%E5%88%BB%E6%98%AF%E4%BB%80%E9%BA%BC%3F.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
晶圓製程中的乾蝕刻與濕蝕刻是什麼?
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這種方法是將晶圓板置於真空的化學反應室中,導入所需的蝕刻氣體。與上部電極平行放置的晶圓板支持架加上高頻電壓時,氣體將被電漿化,正、負離子或電子等 ...
![第一章序論](https://i0.wp.com/api.multiavatar.com/%E7%AC%AC%E4%B8%80%E7%AB%A0%E5%BA%8F%E8%AB%96+-+%E5%9C%8B%E7%AB%8B%E4%BA%A4%E9%80%9A%E5%A4%A7%E5%AD%B8.png?apikey=viVnb6N20jclO8)
第一章序論
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半導體製程中的蝕刻方式可分為溼式蝕刻和乾式蝕刻,溼式蝕刻. 的方式是在晶圓的氧化物層上曝上一層光阻,然後將化學蝕刻劑噴灑. 在晶圓上分解未覆蓋光阻區域,最後再把光阻 ...
![第四章結果與討論4.1 蝕刻條件4.1.1 濕蝕刻本文將討論兩種不同 ...](https://i0.wp.com/api.multiavatar.com/%E7%AC%AC%E5%9B%9B%E7%AB%A0%E7%B5%90%E6%9E%9C%E8%88%87%E8%A8%8E%E8%AB%964.1+%E8%9D%95%E5%88%BB%E6%A2%9D%E4%BB%B64.1.1+%E6%BF%95%E8%9D%95%E5%88%BB%E6%9C%AC%E6%96%87%E5%B0%87%E8%A8%8E%E8%AB%96%E5%85%A9%E7%A8%AE%E4%B8%8D%E5%90%8C+....png?apikey=viVnb6N20jclO8)
第四章結果與討論4.1 蝕刻條件4.1.1 濕蝕刻本文將討論兩種不同 ...
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一般半導體製程中在蝕刻二氧化矽通常是用BOE做為蝕刻液,因. 此首先以BOE為例。實驗條件為室溫下,利用厚膜光阻AZ4620做為. 阻擋層(約6μm厚),分別在0、、 ...
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蝕刻(Etching)
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蝕刻速率是測量在蝕刻製程中物質被移除的速. 率有多快的一種參數。 ∆d = d0 - d1 ... 濕式蝕刻不可在當CD < 3 µm時進行圖像蝕刻. ▫. 高選擇性. 二氧化矽的濕式蝕刻. 氫氟 ...
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蝕刻技術
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蝕刻製程乃是將經過微. 影製程在表面定義出IC. 電路圖案的晶圓, 以. 化學腐蝕反應的 ... 濕式蝕刻法利用化學溶液. 腐蝕晶圓上擬去除的材料. ,並在完成蝕刻反應後,. 由溶液 ...