去光阻原理：半導體光阻剝離PR Strip 製程介紹

光阻去除與晶圓清洗產品

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光阻鍍膜機與濕蝕刻清洗機之製程與設備技術實務

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本節主要是說明，利用濕式蝕刻去光阻之理論，包括溶液反應之原理、去. 光阻後之剖面外觀、及去光阻需注意之地方（如底切等… ）。再來介紹酸鹼溶液. 清洗之目的、污染物（如 ...

了解去光阻及蝕刻(striping&etching)

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完成電鍍程序之後，凸塊仍鑲埋在光阻裡，需經過光阻剝除程序方能讓凸塊露出來。因為光阻材料為耐酸不耐鹼的物質，所以製作電路板時，常用氫氧化鈉之類 ...

去光阻液

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光阻在半導體製程中做為定義結構圖形的材料，在電鍍或蝕刻製程後需要將光阻有效的去除乾淨。 · 去光阻液除了去光阻效能外，還需要降低對底層Cu、Al金屬層的損傷。 · 近年來 ...

工學院半導體材料與製程設備學程

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而因為連線通道AlCu 露出所以高溫氧氣去光阻. 時會接觸到Al/Cu 使其氧化成Al2O3。到了濕式光阻去除製程因為. EKC265 對Al2O3 蝕刻率較TiN 高所以會造成Al2O3 被侵蝕，無法 ...

濕式化學品在半導體製程中之應用

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程中通常有兩種去除光阻材料之方法，. 一為濕式去光阻法，另一則為乾式去光. 阻法。濕式去光阻法是利用有機溶液，. 將光阻材料溶解而達到去光阻之目的，. 所使用之有機溶劑 ...

光阻劑是什麼？本篇報給你知！

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由於LED電極所使用的金屬材料不易經由蝕刻的方式製作電路圖形， 所以利用拔起（Lift-off）微影制程，得到突起的（Overhang）光阻圖形， 使金屬在蒸鍍 ...

光阻基本原理

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其反應基本原理為光酸產生劑在曝光區與供質子酸作用產生質子酸，在曝後烤的過程中，質子酸與高分子樹脂發生反應，產生斷鏈，使得曝光區和非曝光區於顯影液之溶解度不同而 ...

乾膜光阻去除

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因為負光阻產生交連作用(Cross-linking)，光阻比較不易去除，常用的光阻剝離劑(PR Stripper)為NMP (N-methyl-pyrrolidinone)。乾膜光阻去除(PR stripping)製程一般使用Wet ...