矽蝕刻 液:BOE蝕刻液
BOE蝕刻液
HF為主要的蝕刻液,NH4F則作為緩沖劑使用。主要來蝕刻二氧化矽。數量:加入詢價車.聯絡資訊.電話:04-26595138.傳真:04-26595441.Email:[email protected].。其他文章還包含有:「BHF(二氧化矽蝕刻液)」、「MixingAcidforEtchantProcess」、「TW202030313A」、「WT」、「半導體Oxideetching製程介紹」、「矽溼式蝕刻技術」、「矽蝕刻液」、「蝕刻液」、「金屬蝕刻液(MetalEtchant)」
查看更多 離開網站BHF(二氧化矽蝕刻液)
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BHF(二氧化矽蝕刻液). 商品編號:BH001 CAS No.: 濃度: 規格:電子級包裝(定價):4L(請詢價) 20kg(請詢價). 回上層. 皇宇化學材料有限公司.
Mixing Acid for Etchant Process
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二氧化矽蝕刻劑, BHF, 12125-01-8 07664-39-3 ; 二氧化矽蝕刻劑+ 界面活性劑, UBHF, 12125-01-8 07664-39-3 ; 氫氟酸稀釋劑, DHF, 07664-39-3 ; 鋁蝕刻劑, Al-Etch ...
TW202030313A
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本發明於一態樣中提供一種能夠提高氮化矽膜相對於氧化矽膜之蝕刻速度之比之蝕刻液。 本發明於一態樣中係關於一種蝕刻液,其係用於自具有氮化矽膜及 ...
WT
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二、WT-2000藥水特性:. 1. ) 為酸性系統的玻璃拋光液。 2. ) 不含氫氟酸,拋光過程不需要加熱處理,不具像氫氟酸一樣的劇毒特性。 3. ) 不會攻擊與分解乾溼光阻、PE膜、PI ...
半導體Oxide etching 製程介紹
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... SiO2的蝕刻液是用6倍的氟化銨( NH4F) 與1倍的氫氟酸( HF )混合而成的緩衝氧化蝕刻劑Buffer Oxide Etching ( BOE ) BOE室溫下的蝕刻 ... 矽氧化而形成一層 ...
矽溼式蝕刻技術
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利用單晶矽非等向性蝕刻的特性,以摻雜濃度、電化學. 或p-n 接合等蝕刻終止技術,加上二氧化矽 ... 蝕刻液擴散到蝕刻表面. 2. 蝕刻表面發生化學反應. 3. 生成物從蝕刻表面 ...
矽蝕刻液
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添鴻科技提供氫氧化鉀系列矽蝕刻液。其非等向性特性應用於MEMS製程與TSV reveal製程。
蝕刻液
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... 蝕刻液、去膜液、前後處理液、晶圓清洗液、雷射保護劑等。 艾 ... 矽蝕刻液. NI-545. 鎳蝕刻液. NiCr-537. 鎳鉻蝕刻液. AL-102.
金屬蝕刻液(Metal Etchant)
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UBM 鈦鎢蝕刻液(不產生放熱效應). 矽, Si Iso-Etch 1-20-5, 對氧化矽具選擇性,且不蝕刻氮化矽. 矽, Nodule Etch-792, 適用於鋁蝕刻後去除矽殘留物. 矽, Poly Etch 5-3-3 ...