sic mosfet缺點：為什麼很難描述碳化矽功率MOSFET 的特性
為什麼很難描述碳化矽功率MOSFET 的特性
GaN和SiC怎麼選？重點在於可靠性
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碳化矽(SiC)功率MOSFET的擊穿電壓高於1kV，這是電動車逆變器等功率應用的關鍵要求。另一方面，氮化鎵(GaN)支援比其他半導體更高許多的開關頻率，並 ...
SiC MOSFET 与Si IGBT：SiC MOSFET 的优点
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SiC MOSFET 的另一个缺点是，它们可能具有更复杂的栅极驱动要求，因此在系统中的其他元件可能会限制栅极驱动资源的应用中，它们可能不如IGBT 理想。 采用 ...
SiC-MOSFET的特徵
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SiC由於漂移層的電阻比Si元件低，不須使用傳導度調變，可用高速元件構造之MOSFET以兼顧高耐壓與低電阻。 MOSFET由於在原理上不會產生尾電流，取代IGBT時，可實現開關損耗的 ...
使用SiC MOSFET的好處是什麼？
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What is the power loss replacing with SiC MOSFETs? By changing from IGBT to 2nd Generation SiC MOSFETs, power loss is reduced by about 41%.
分析主流SiC MOSFET和GaN HEMT元件
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缺點包括更高的反向二極體導通壓降、驅動電路更複雜、系統對於雜散參數更加敏感。 另外，SiC MOSFET相比Si IGBT的明顯優勢包括：無拖尾電流現象、更快 ...
功率半導體元件的主流爭霸戰
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... 缺點是比較無法縮裝；MOSFET的特性為驅動電流小，多應用於變頻導向的3C設備或消費 ... SiC MOSFET，帶動多家電動車廠商導入SiC材料。Model 3驅動逆變器 ...
升級電源轉換效率SiC MOSFET降低電磁損耗
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对SiC 高压MOSFET 的关键看法
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缺点是，短路能力的改善将以传导损耗的增加为. 代价，这在高压器件中是相当可观的。 关于二极管浪涌电流能力，一直有适应大. 电流的需求，它可以高达不同脉冲持续时间下十.
碳化矽為何讓人又愛又恨？
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這得益於SiC MOSFET的晶片面積僅為Si-IGBT的1/4，並且其高頻特性使損耗相比Si-IGBT下降了63%。 但人們很快發現，SiC的電氣(更低阻抗/更高頻率)、機械(更小 ...