sic mosfet中文:所謂SiC

所謂SiC

所謂SiC

2018年1月28日—・為使SiC-MOSFET獲得低導通電阻,Vgs需要在18V前後,要比Si-MOSFET高。・SiC-MOSFET的內部閘極電阻比Si-MOSFET大,因此外接Rg較小,但需要權衡突波保護 ...。其他文章還包含有:「SiC」、「SiC-MOSFET的特徵」、「SiC」、「何謂SiC」、「何謂SiC」、「使用SiCMOSFET的好處是什麼?」、「從原理到實例:詳解SiCMOSFET如何提高電源轉換效率」、「碳化硅MOSFET」、「第三代SiCMOSFET提供高效能」

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SiC
SiC

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特點; 新世代第三代SiC MOSFET 的特點; 使用電路範例; 應用實例. 碳化矽(SiC)與目前主流的矽質功率半導體元件相比,切換損耗小、在高溫下也能擁有優異的電子特性。

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SiC-MOSFET的特徵
SiC-MOSFET的特徵

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SiC由於漂移層的電阻比Si元件低,不須使用傳導度調變,可用高速元件構造之MOSFET以兼顧高耐壓與低電阻。 MOSFET由於在原理上不會產生尾電流,取代IGBT時,可實現開關損耗的 ...

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SiC
SiC

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SiC功率元件半導體的優勢前面已經介紹過,如低損耗、高速開關、高溫工作等,顯而易見這些優勢是非常有用的。本章將通過其他功率電晶體的比較,進一步加深 ...

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何謂SiC
何謂SiC

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「何謂SiC-MOSFET-SiC-MOSFET的應用實例」相關文一覽. SiC-MOSFET的特長 · 功率電 ... 简体中文 · 日本語 · 한국어. © Copyright 2023. TechWeb Powered by ...

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何謂SiC
何謂SiC

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本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET,以及可供應的SiC-MOSFET的相對資訊。 獨有的雙溝槽結構SiC-MOSFET.

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使用SiC MOSFET的好處是什麼?
使用SiC MOSFET的好處是什麼?

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What is the power loss replacing with SiC MOSFETs? By changing from IGBT to 2nd Generation SiC MOSFETs, power loss is reduced by about 41%.

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從原理到實例:詳解SiC MOSFET如何提高電源轉換效率
從原理到實例:詳解SiC MOSFET如何提高電源轉換效率

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碳化硅MOSFET
碳化硅MOSFET

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在SiC MOSFET的开发与应用方面,与相同功率等级的Si MOSFET相比,SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低,适用于更高的工作频率,另由于其高温工作特性, ...

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第三代SiC MOSFET 提供高效能
第三代SiC MOSFET 提供高效能

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隨著SiC MOSFET 效能提升,且上市時間的壓力加劇,設計人員開始採用這些較新的元件來達成產品目標。最近,第三代元件的問世,更說明SiC 架構的功率元件更 ...