epitaxy中文：磊晶(晶體)

磊晶(晶體)

磊晶（英語：），是指一種用於半導體器件製造過程中，在原有晶片上長出新結晶以製成新半導體層的技術。此技術又稱外延成長（EpitaxialGrowth），或指以外延技術成長出 ...。其他文章還包含有：「epitaxy」、「分子束磊晶」、「外延(晶体)」、「磊晶」、「磊晶(晶體)」、「磊晶(晶體)」

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英语-中文正在建设中. epitaxy 名词—. 晶体生长名 ...

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分子束磊晶（英語：Molecular beam epitaxy, MBE）是使單晶材料生長的一種方法，由貝爾實驗室的J. R. 亞瑟（J. R. Arthur）和卓以和（Alfred Y. Cho）於1960年代後期 ...

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外延（英语：Epitaxy），是指一种用于半导体器件制造过程中，在原有芯片上长出新结晶以制成新半导体层的技术。此技术又称外延成长（Epitaxial Growth），或指以外延 ...

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磊晶用於在半導體製造中創造完美的矽晶體基底層，以便在晶體基底層上建構半導體元件、沉積具電性的晶體薄膜，或改變底層的機械特性以改善導電性。

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磊晶（英語：Epitaxy），是指一種用於半導體元件製造過程中，在原有晶片上長出新結晶以製成新半導體層的技術。此技術又稱磊晶成長（Epitaxial Growth），或指以磊晶 ...