6T SRAM PG PU PD：Conventional 6T-SRAM cell with
Conventional 6T-SRAM cell with
Downloadscientificdiagram|Conventional6T-SRAMcellwith:pullup(PU),pulldown(PD)andpassgate(PG)transistors.frompublication:SRAMCell ...。其他文章還包含有：「751001.pdf」、「Performancecomparisonof6TSRAMbit」、「SRAMCellDesignChallengesinModernDeepSub...」、「SRAM小科普」、「SRAM的电路结构转载」、「TW201320073A」、「TWI518533B」、「穿隧場效電晶體和異質通道三維積體超薄層元件於超低功耗...」
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751001.pdf
https://ir.nctu.edu.tw
在SRAM. Cell 要求上，必須要互相對稱，才能使得存“1”與存“0”有完成相同的Cell 特性．而且. NMOS PD 的MOS 大小是三者中最大，然後是NMOS PG 次之，再來最小是PMOS PU．
Performance comparison of 6T SRAM bit
https://www.sciencedirect.com
The bit-cells are bi-stable flip-flops which can consist of 4 to 11 transistors with pull-up (PU), pull-down (PD), and pass-gate (PG) networks. Operation modes ...
SRAM Cell Design Challenges in Modern Deep Sub ...
https://www.ncbi.nlm.nih.gov
Conventional 6T-SRAM cell with: pull up (PU), pull down (PD) and pass gate (PG) transistors. An SRAM cell can operate in three modes: hold ...
SRAM小科普
https://zhuanlan.zhihu.com
下面我们来看PU和PD的相互影响，PU和PD组成一个反相器，在这里PU的主要目的是抬升output的电位，而PD则是降低output的电位，在input由0到1增大时，PU ...
SRAM的电路结构转载
https://blog.csdn.net
它由6 个晶体管（N1~N4、P1~P2）组成，N1、N2 叫做下拉（PD）管，P1、P2 叫做上拉（PU）管，N3、N4 是存取管，有时也叫传输管（PG）。这种六管存储 ...
TW201320073A
https://patents.google.com
將可見，在此模式下，該格之PU、PD及PG組件之相對強度類似於習知SRAM之相對強度，此係由於Liu中之每一組件基本上由一對電晶體替換(與習知SRAM中之單一電晶體相比)。因此， ...
TWI518533B
https://patents.google.com
雖然係使用六電晶體SRAM晶胞(6T SRAM)為實施例來說明本發明的概念，但是本發明 ... 上拉電晶體PU-2和下拉電晶體PD-2的閘極係連接至上拉電晶體PU-1和下拉電晶體PD-1的汲 ...
穿隧場效電晶體和異質通道三維積體超薄層元件於超低功耗 ...
https://ndltd.ncl.edu.tw
... 6T FinFET SRAM cells are statistically examined. Because of the reduced READ ... (PU,PD,PG) = (110,100,100), revealing the potential of 6T FinFET cells with ...