igbt製程：什麼是IGBT（絕緣閘極雙極性電晶體）？
什麼是IGBT（絕緣閘極雙極性電晶體）？
IGBT功率模組之接合材料發展趨勢
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IGBT功率元件的市場需求持續成長，並且伴隨寬能矽半導體材料（如碳化矽）的逐漸導入， ... 然而使用在晶片黏合上燒結銀的溫度要求要更低，燒結銀的製程工藝 ...
IGBT原理與設計
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IGBT由初始的Planar演進至第四代的Trench，現在又有人提出第五代Thin Wafer製程。隨著製程及設計的進步，IGBT的觸角正逐漸深入高頻及高功率的領域，擴張其版圖。
IGBT是啥？看完这篇文章我不信你还不明白
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IGBT的制程正面和标准BCD的LDMOS没差，只是背面比较难搞：. 1) 背面减薄：一般要求6~8mil，这个厚度很难磨了，容易碎片。 2) 背面注入：都 ...
IGBT的演進強化交換式電
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□IGBT和MOSFET之間的一個重要的區別就是IGBT結構. 中不含寄生反向二極體。在變頻器應用 ... 除了重新設計元件的製程,改進晶圓製造光罩步驟,. 也便於實現更精細的幾何形狀 ...
功率半元件市場及供應鏈解析
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High Dose Implantation (IGBT)、. Laser Anneal (IGBT). 後段. Heat Dissipation ... 製程服務供應鏈. 21. 前段. 台積電、世界先進、. 聯電、鉅晶…等. 後段. 捷敏、菱生…等.
變頻又省電，電動車重要靈魂IGBT！
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... IGBT後段製程(晶背製程)目前仍是產業供應鏈的瓶頸，形成一大缺口。 IGBT的後段製程，包括了晶圓薄化、多次離子植入、雷射退火、晶背金屬化濺鍍製程，部份廠商甚至要再 ...
車用IGBT功率模組封裝技術(上)
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... 製程(Eutectic Bonding)連接到氧化物(Direct Bonded Copper; DBC)，或是藉由主動金屬硬焊(Active Metal Brazing; AMB)製程。 功率模組封裝趨勢 1 ...